电流检测放大器
所集成的电流检测放大器为差分放大器，用于放大RS+和RS-两端的电压。检流电阻RSENSE 跨接在RS+和RS-。当负载电流流经RSENSE 时，其两端产生压差。该电压被放大，并且与负载电流成正比。该电压同时加至模拟乘法器，用于功率检测应用(参考模拟乘法器部分) 。
IOUT端的电压正比于VSENSE 电压：
VIOUT = AVIOUT x VSENSE
式中，VSENSE 为RS+与RS-两端的电压，AVIOUT 器件的放大器增益值
模拟乘法器，可实时监视负载功率。正比于负载电流的电压加到乘法器的一个输入端，正比于源电压的电压加到另一端。模拟乘法器将两个电压相乘，即可获得正比于负载功率的输出电压。该模拟乘法器仅设计工作于正象限，也就是说，输入和输出总是正电压。
POUT 的电压输出正比于输出功率：
VPOUT = AVPOUT x VSENSE x VRS+
内部比较器(MAX4211)
MAX4211具有两个独立的开漏极输出比较器。比较器可以配置为在负载电流或者功耗达到设定门限时进行翻转。比较器还可以配置为具有“线或”输出的窗口比较器。比较器1(COUT1) 具有锁存使能(LE) 和禁止(INHIBIT) 输入控制。当LE 为低电平时，比较器为透明模式(其功能与非锁存的标准比较器相同) 。当LE 为高电平时，比较器输出(COUT1) 锁存。INHIBIT 输入为高电平时，比较器会挂起，并且将输出锁存为当前状态。INHIBIT 的功能与LE 类似，只是具有不同的输入门限和更宽的滞回。INHIBIT 的逻辑高门限为1.21V ，逻辑低门限为0.6V ，并具有0.6V 的滞回。INHIBIT 在快速RS+瞬变期间可以避免比较器产生错误的输出。INHIBIT 通常由连接至RS+的RC 网络来触发。两个比较器在上电时都具有内置的300μs 屏蔽周期，以防止错误输出。比较器输出为开漏极，可以上拉至VCC 、RS+或者任何低于+28V的电压。LE 和INHIBIT 由内部1μA 电流源拉低。
7.4.2保护硬件接线图
图7一10是电源本安保护电路，本安功能的实现和上述芯片原理中介绍的相同， 包含三种保护形式，过流保护，过功率保护，上电保护。Rss 为电流保护取样电阻，负载电流流经Rss 时，在其上产生压降，该电压经内部运放放大，将负载电流转换为一与其成正比的电压输出Iout （第16引脚) ，Iout 经R46,R47分压后接至内部保护输出比较器1的正向输入端CIN1+，其中R46，R47的配置原则为在额定工作状态下R47两端的压降接近1.2lV ，因为比较器的负向输入端接的是内部基准电压1.2lV ，即图4.7中的REF 管脚。过功率保护分压电阻由R45，R48构成的分压网络构成，其分压原则与电流保护相同。上电保护为由电容E15，电阻R43构成的RC 充电回路构成，其保护原理和参数配置原则在芯片介绍中已有详细说明。两个P 沟道MOSFET 管Ql ，Q2为保护动作用开关管，正常工作时，MAX4211的比较器输出端Cout1，Cout2为低电平，Ql 和QZ 均能导通，负载正常工作，当其中一种故障发 生时，Cout1或Cout2被拉高为高电平，Ql 或QZ 关断，切断输出，故障切除 后，Cout1，Cout2又恢复为低电平，Ql 和QZ 导通，负载恢复正常工作。
电流检测放大器
所集成的电流检测放大器为差分放大器，用于放大RS+和RS-两端的电压。检流电阻RSENSE 跨接在RS+和RS-。当负载电流流经RSENSE 时，其两端产生压差。该电压被放大，并且与负载电流成正比。该电压同时加至模拟乘法器，用于功率检测应用(参考模拟乘法器部分) 。
IOUT端的电压正比于VSENSE 电压：
VIOUT = AVIOUT x VSENSE
式中，VSENSE 为RS+与RS-两端的电压，AVIOUT 器件的放大器增益值
模拟乘法器，可实时监视负载功率。正比于负载电流的电压加到乘法器的一个输入端，正比于源电压的电压加到另一端。模拟乘法器将两个电压相乘，即可获得正比于负载功率的输出电压。该模拟乘法器仅设计工作于正象限，也就是说，输入和输出总是正电压。
POUT 的电压输出正比于输出功率：
VPOUT = AVPOUT x VSENSE x VRS+
内部比较器(MAX4211)
MAX4211具有两个独立的开漏极输出比较器。比较器可以配置为在负载电流或者功耗达到设定门限时进行翻转。比较器还可以配置为具有“线或”输出的窗口比较器。比较器1(COUT1) 具有锁存使能(LE) 和禁止(INHIBIT) 输入控制。当LE 为低电平时，比较器为透明模式(其功能与非锁存的标准比较器相同) 。当LE 为高电平时，比较器输出(COUT1) 锁存。INHIBIT 输入为高电平时，比较器会挂起，并且将输出锁存为当前状态。INHIBIT 的功能与LE 类似，只是具有不同的输入门限和更宽的滞回。INHIBIT 的逻辑高门限为1.21V ，逻辑低门限为0.6V ，并具有0.6V 的滞回。INHIBIT 在快速RS+瞬变期间可以避免比较器产生错误的输出。INHIBIT 通常由连接至RS+的RC 网络来触发。两个比较器在上电时都具有内置的300μs 屏蔽周期，以防止错误输出。比较器输出为开漏极，可以上拉至VCC 、RS+或者任何低于+28V的电压。LE 和INHIBIT 由内部1μA 电流源拉低。
7.4.2保护硬件接线图
图7一10是电源本安保护电路，本安功能的实现和上述芯片原理中介绍的相同， 包含三种保护形式，过流保护，过功率保护，上电保护。Rss 为电流保护取样电阻，负载电流流经Rss 时，在其上产生压降，该电压经内部运放放大，将负载电流转换为一与其成正比的电压输出Iout （第16引脚) ，Iout 经R46,R47分压后接至内部保护输出比较器1的正向输入端CIN1+，其中R46，R47的配置原则为在额定工作状态下R47两端的压降接近1.2lV ，因为比较器的负向输入端接的是内部基准电压1.2lV ，即图4.7中的REF 管脚。过功率保护分压电阻由R45，R48构成的分压网络构成，其分压原则与电流保护相同。上电保护为由电容E15，电阻R43构成的RC 充电回路构成，其保护原理和参数配置原则在芯片介绍中已有详细说明。两个P 沟道MOSFET 管Ql ，Q2为保护动作用开关管，正常工作时，MAX4211的比较器输出端Cout1，Cout2为低电平，Ql 和QZ 均能导通，负载正常工作，当其中一种故障发 生时，Cout1或Cout2被拉高为高电平，Ql 或QZ 关断，切断输出，故障切除 后，Cout1，Cout2又恢复为低电平，Ql 和QZ 导通，负载恢复正常工作。