Adv. Mater. 基于有机-无机混合阳离子的杂化钙钛矿发光二极管

【引言】

近年来,有机无机杂化钙钛矿由于其极好的物理化学特性,例如高的消光系数,长的载流子扩散距离,带隙可调以及高的载流子迁移率,成为了一种极好的LED发光材料。目前研究最多的便是基于MA(CH3NH3)基团的钙钛矿材料但是这种材料存在着固有的不稳定性,例如对水氧,温度敏感,阻碍了其进一步的运用。

【成果简介】

受到混合阳离子基团太阳能电池的启发,南方科技大学孙小卫课题组在Adv. Mater.上报道,制备了一种基于混合阳离子基团的钙钛矿纳米晶(FA(1-x)CsxPbBr3)并且将其制备成了LED器件。通过调节FA/Cs的比例,可以使其结晶程度以及光学性质发生改变,实现波长可调。由于Cs基团的加入,使得LED的发光强度达到了55005 cd/m2。并且钙钛矿材料的稳定性也有了极大地提高。

【图文导读】

图1:所制备钙钛矿的形貌和结构表征

(a)所制备钙钛矿纳米晶的形貌

(b)ABX3型钙钛矿的基本结构

(c)随着FA(1-x)CsxPbBr3x的增加而产生的晶格收缩现象。

图2:XRD及吸收和发射表征

(a)溶液中不同钙钛矿纳米晶的照片

(b)FA(1-x)CsxPbBr3(x = 0 – 0.6)的XRD图谱

(c)随着Cs的变化产生的晶格条纹以及峰位的变化

(d)(e)FA(1-x)CsxPbBr3(x = 0 – 0.6)的吸收和发射光谱

图3:器件结构及光谱性质

(a) 钙钛矿器件横截面及器件结构示意图

(b) 钙钛矿LED不同组件的能级示意图

(c)  钙钛矿纳米晶较高的的二次电子结合能

(d) 钙钛矿纳米晶的吸收边缘区域

(e) 4V电压驱动下的光致发光光谱及照片

图4:器件的电学性质表征

(a)J-V曲线

(b)发光强度-电压曲线

(c)内部量子效率-电流密度曲线

(d)电流密度-电流效率曲线

【小结】

在本文中,制备了一种FA(1-x)CsxPbBr3(x = 0 – 0.6)的钙钛矿纳米晶,并且实现了随着Cs含量的变化从而使得光谱移动。这种纳米晶的最高发光强度达到了55005cd/m2,这项工作对于有机无机杂化钙钛矿的掺杂提供了一个新思路。

【引言】

近年来,有机无机杂化钙钛矿由于其极好的物理化学特性,例如高的消光系数,长的载流子扩散距离,带隙可调以及高的载流子迁移率,成为了一种极好的LED发光材料。目前研究最多的便是基于MA(CH3NH3)基团的钙钛矿材料但是这种材料存在着固有的不稳定性,例如对水氧,温度敏感,阻碍了其进一步的运用。

【成果简介】

受到混合阳离子基团太阳能电池的启发,南方科技大学孙小卫课题组在Adv. Mater.上报道,制备了一种基于混合阳离子基团的钙钛矿纳米晶(FA(1-x)CsxPbBr3)并且将其制备成了LED器件。通过调节FA/Cs的比例,可以使其结晶程度以及光学性质发生改变,实现波长可调。由于Cs基团的加入,使得LED的发光强度达到了55005 cd/m2。并且钙钛矿材料的稳定性也有了极大地提高。

【图文导读】

图1:所制备钙钛矿的形貌和结构表征

(a)所制备钙钛矿纳米晶的形貌

(b)ABX3型钙钛矿的基本结构

(c)随着FA(1-x)CsxPbBr3x的增加而产生的晶格收缩现象。

图2:XRD及吸收和发射表征

(a)溶液中不同钙钛矿纳米晶的照片

(b)FA(1-x)CsxPbBr3(x = 0 – 0.6)的XRD图谱

(c)随着Cs的变化产生的晶格条纹以及峰位的变化

(d)(e)FA(1-x)CsxPbBr3(x = 0 – 0.6)的吸收和发射光谱

图3:器件结构及光谱性质

(a) 钙钛矿器件横截面及器件结构示意图

(b) 钙钛矿LED不同组件的能级示意图

(c)  钙钛矿纳米晶较高的的二次电子结合能

(d) 钙钛矿纳米晶的吸收边缘区域

(e) 4V电压驱动下的光致发光光谱及照片

图4:器件的电学性质表征

(a)J-V曲线

(b)发光强度-电压曲线

(c)内部量子效率-电流密度曲线

(d)电流密度-电流效率曲线

【小结】

在本文中,制备了一种FA(1-x)CsxPbBr3(x = 0 – 0.6)的钙钛矿纳米晶,并且实现了随着Cs含量的变化从而使得光谱移动。这种纳米晶的最高发光强度达到了55005cd/m2,这项工作对于有机无机杂化钙钛矿的掺杂提供了一个新思路。


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