说明：以下是整理出来的第一章的一些练习题，部分习题已有答案，答案仅供同学们参考，对答案有疑问的，欢迎同学们提出。对于没提供答案的习题，请同学们根据所学内容进行解答。另外，教材中的书后习题，同学们也要认真做一做，答案可以参考教学指导书。
一．填空题
1. 和开路PN 结的结区宽度相比较，当PN 结加正偏电压时，其结区宽度将变 ；当PN 结加反偏电压时，其结区宽度将变。
2. 整流二极管的整流作用是利用PN 结的稳压管的稳压作用是利用PN 结的 反向击穿 特性。
3. 在PN 结的形成过程中，载流子扩散运动是的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。
4. 半导体中有和两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。
5．温度升高，本征载流子浓度；杂质半导体中少子浓度子浓度 基本不变 。
6. 改变半导体导电能力的方法有半导体中加入微量的杂质 。
7.N 型半导体的多数载流子是，少数载流子是。
8.P 型半导体的多数载流子是，少数载流子是。
9.PN 结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的
和少数载流子的。
10.PN 结的电击穿分为和两种类型。
11. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿）。
12. 三极管工作在放大状态时，发射结应偏置，集电结应偏置。
若工作在饱和状态时，发射结应 正向 偏置，集电结应 正向 偏置。若工作在截止状态时，发射结应 反向 偏置，集电结应 反向 偏置。
13. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝；若α＝0.99，则β＝。
14.BJT 所代表的电气元件是。
15. 三极管的三个工作区域分别是
16. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很 小 ；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。
17. 根据结构的不同，场效应管可分为和 场效应管 两类。
18. MOSFET所代表的电气元件是。
19. 场效应管是一种利用
20. JFET是利用PN 结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变的宽窄，
从而控制漏极电流的大小；而MOSFET 则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感生电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。
21. 半导体三极管属于
二．选择题
1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A 、B 两端的电压U AB 应为（ B ）。
A 、U AB ＝－12V B 、U AB ＝－6V C 、U AB ＝＋6V D 、U AB ＝＋
12V
2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R 2中的电流I 为（ C ）。
A 、I ＝2mA B 、I ＝0mA C 、I ＝1.5mA D 、I ＝－
1.5mA
3．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）。
A 、0.6V ；0.6V B 、0.6V ；0.1V C 、0.1V ；0.6V D 、0.1V ；0.1V
4．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。
A 、温度 B 、掺杂元素 C 、掺杂浓度 D 、掺杂工艺
5．N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。
A 、自由电子 B 、空穴 C 、硼元素 D 、磷元素
6. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c ），而少数载流子的浓度则与（a ）有很大关系。
A ．温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
7. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流（a ）漂移电流，耗尽层（e ），当PN 结外加反向电压时，扩散电流（b ）漂移电流，耗尽层（d ）。
A. 大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变
8. 用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。
A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态 D 、倒置状态
9. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（d ）。
A. 处于放大区域 B.处于饱和区域
C. 处于截止区域 D.已损坏
10. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V 、－10V 和－9.3V ，则该管为（ A ）。
A 、NPN 硅管 B 、NPN 锗管 C 、PNP 硅管 D 、PNP 锗管
11. 测得某放大电路中NPN 管三个极对地的电位分别为U C ＝12V ，U B ＝1.8V 和U E ＝0V ，则该管是处于（ D ）。
A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态 D 、已损坏
12. 场效应管本质上是一个（ C ）。
A 、电流控制电流源器件 B 、电流控制电压源器件
C 、电压控制电流源器件 D 、电压控制电压源器件
13．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A ）。
A 、P 沟道增强型MOSFET B 、P 沟道JFET
C 、N 沟道增强型MOSFET D 、N 沟道耗尽型
MOSFET
14．已知某FET 的输出特性如图所示，试判别它是（ D ）。
A 、P 沟道增强型MOSFET B 、N 沟道JFET
C 、P 沟道耗尽型MOSFET D 、N 沟道耗尽型
MOSFET
三、判断
1. 判断图中理想二极管的工作状态，并求出AO 两端的电压。
D 1处于导通状态、D 2处于截止状态 V AO ＝0V 。
D 1处于截止状态、D 2处于导通状态 V AO ＝－6V 。
2. 试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？（假设二极管是理想的）
V A ＝1V V B ＝1+2.5＝3.5V D 处于反向截止状态。
V A ＝1V V B ＝2.5－1＝1.5V D 处于反向截止状态。
V A ＝1V V B ＝2.5－2＝0.5V D 处于正向导通状态。
3. 如图u i =2Esinωt ，D 1、D 2为理想二极管，试求D 1、D 2的工作状态及u o 波形。
4. 电路如图所示稳压管D Z 的稳定电压V Z ＝8V ，限流电阻R ＝3K ，设v i =15sinωt ，
试画出v o 的波形。
四．简答题
1. 简述PN 结的形成过程及其单向导电性原理。
2. 写出下面电路的名称并以V I 恒定而R L 减小情况为例叙述其工作原理。
该电路是并联式稳压电路。电路中D Z 为稳压管，R 为限流电阻，它的作用是
使电路有个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。负载R L 与稳压管并联，因而称为并联式稳压管电路。这种稳压管之所以能够稳定输出电压，在于当稳定电流I Z 有较大幅度的变化△I Z 时，而稳定电压的变化△V Z 却很小。这样，当V I 或R L 变化时，电路能自动的调整I Z 的大小，以改变R 上的压降I R R ，达到维持输出电压V O （V Z ）基本恒定的目的。例如：
当R L 不变，V I 变化时，V I ↑→V O ↑→I Z ↑→I R ↑→V R ↑→V O ↓。当V I 不变，R L 变小时，R L ↓→I O ↑→I R ↑→V O ↓→I Z ↓→I R ↓→V O ↑。
3. 简述BJT 内部载流子电流分配及放大作用。
以NPN 型BJT 为例，为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的
条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压，在这些外加电压的条件下，管内载流子的传输将发生下列过程：
（1）发射区向基区注入电子 ………….
4. 下图所示的为MOSFET 的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增
强型，说明它的开启电压U GS(th) (VT ) ＝？如果是耗尽型，说明它的夹断电压U GS(off) (VP ) ＝？（图中i D 的假定正向为流进漏极）
该FET 为N 沟道耗尽型MOSFET ，其U GS(off) (VP ) ＝-3V ；该FET 为P 沟道增强型MOSFET ，其U GS(th) (VT ) ＝-4V 。
五．电路分析与计算
1. 测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为V A ＝-9V ，
V B ＝-6V ，V C ＝-6.2V ，试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射级e 、集电极c 、并说明此BJT 是NPN 管还是PNP 管。
2. 某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的电流如图，用万用表直流电流档测得I A ＝-2mA ，I B ＝-0.04mA ，I C ＝+2.04mA，试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射级e 、集电极c 、并说明此管是NPN 管还是PNP 管。
说明：以下是整理出来的第一章的一些练习题，部分习题已有答案，答案仅供同学们参考，对答案有疑问的，欢迎同学们提出。对于没提供答案的习题，请同学们根据所学内容进行解答。另外，教材中的书后习题，同学们也要认真做一做，答案可以参考教学指导书。
一．填空题
1. 和开路PN 结的结区宽度相比较，当PN 结加正偏电压时，其结区宽度将变 ；当PN 结加反偏电压时，其结区宽度将变。
2. 整流二极管的整流作用是利用PN 结的稳压管的稳压作用是利用PN 结的 反向击穿 特性。
3. 在PN 结的形成过程中，载流子扩散运动是的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。
4. 半导体中有和两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。
5．温度升高，本征载流子浓度；杂质半导体中少子浓度子浓度 基本不变 。
6. 改变半导体导电能力的方法有半导体中加入微量的杂质 。
7.N 型半导体的多数载流子是，少数载流子是。
8.P 型半导体的多数载流子是，少数载流子是。
9.PN 结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的
和少数载流子的。
10.PN 结的电击穿分为和两种类型。
11. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿）。
12. 三极管工作在放大状态时，发射结应偏置，集电结应偏置。
若工作在饱和状态时，发射结应 正向 偏置，集电结应 正向 偏置。若工作在截止状态时，发射结应 反向 偏置，集电结应 反向 偏置。
13. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝；若α＝0.99，则β＝。
14.BJT 所代表的电气元件是。
15. 三极管的三个工作区域分别是
16. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很 小 ；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。
17. 根据结构的不同，场效应管可分为和 场效应管 两类。
18. MOSFET所代表的电气元件是。
19. 场效应管是一种利用
20. JFET是利用PN 结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变的宽窄，
从而控制漏极电流的大小；而MOSFET 则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感生电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。
21. 半导体三极管属于
二．选择题
1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A 、B 两端的电压U AB 应为（ B ）。
A 、U AB ＝－12V B 、U AB ＝－6V C 、U AB ＝＋6V D 、U AB ＝＋
12V
2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R 2中的电流I 为（ C ）。
A 、I ＝2mA B 、I ＝0mA C 、I ＝1.5mA D 、I ＝－
1.5mA
3．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）。
A 、0.6V ；0.6V B 、0.6V ；0.1V C 、0.1V ；0.6V D 、0.1V ；0.1V
4．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。
A 、温度 B 、掺杂元素 C 、掺杂浓度 D 、掺杂工艺
5．N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。
A 、自由电子 B 、空穴 C 、硼元素 D 、磷元素
6. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c ），而少数载流子的浓度则与（a ）有很大关系。
A ．温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
7. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流（a ）漂移电流，耗尽层（e ），当PN 结外加反向电压时，扩散电流（b ）漂移电流，耗尽层（d ）。
A. 大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变
8. 用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。
A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态 D 、倒置状态
9. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（d ）。
A. 处于放大区域 B.处于饱和区域
C. 处于截止区域 D.已损坏
10. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V 、－10V 和－9.3V ，则该管为（ A ）。
A 、NPN 硅管 B 、NPN 锗管 C 、PNP 硅管 D 、PNP 锗管
11. 测得某放大电路中NPN 管三个极对地的电位分别为U C ＝12V ，U B ＝1.8V 和U E ＝0V ，则该管是处于（ D ）。
A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态 D 、已损坏
12. 场效应管本质上是一个（ C ）。
A 、电流控制电流源器件 B 、电流控制电压源器件
C 、电压控制电流源器件 D 、电压控制电压源器件
13．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A ）。
A 、P 沟道增强型MOSFET B 、P 沟道JFET
C 、N 沟道增强型MOSFET D 、N 沟道耗尽型
MOSFET
14．已知某FET 的输出特性如图所示，试判别它是（ D ）。
A 、P 沟道增强型MOSFET B 、N 沟道JFET
C 、P 沟道耗尽型MOSFET D 、N 沟道耗尽型
MOSFET
三、判断
1. 判断图中理想二极管的工作状态，并求出AO 两端的电压。
D 1处于导通状态、D 2处于截止状态 V AO ＝0V 。
D 1处于截止状态、D 2处于导通状态 V AO ＝－6V 。
2. 试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？（假设二极管是理想的）
V A ＝1V V B ＝1+2.5＝3.5V D 处于反向截止状态。
V A ＝1V V B ＝2.5－1＝1.5V D 处于反向截止状态。
V A ＝1V V B ＝2.5－2＝0.5V D 处于正向导通状态。
3. 如图u i =2Esinωt ，D 1、D 2为理想二极管，试求D 1、D 2的工作状态及u o 波形。
4. 电路如图所示稳压管D Z 的稳定电压V Z ＝8V ，限流电阻R ＝3K ，设v i =15sinωt ，
试画出v o 的波形。
四．简答题
1. 简述PN 结的形成过程及其单向导电性原理。
2. 写出下面电路的名称并以V I 恒定而R L 减小情况为例叙述其工作原理。
该电路是并联式稳压电路。电路中D Z 为稳压管，R 为限流电阻，它的作用是
使电路有个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。负载R L 与稳压管并联，因而称为并联式稳压管电路。这种稳压管之所以能够稳定输出电压，在于当稳定电流I Z 有较大幅度的变化△I Z 时，而稳定电压的变化△V Z 却很小。这样，当V I 或R L 变化时，电路能自动的调整I Z 的大小，以改变R 上的压降I R R ，达到维持输出电压V O （V Z ）基本恒定的目的。例如：
当R L 不变，V I 变化时，V I ↑→V O ↑→I Z ↑→I R ↑→V R ↑→V O ↓。当V I 不变，R L 变小时，R L ↓→I O ↑→I R ↑→V O ↓→I Z ↓→I R ↓→V O ↑。
3. 简述BJT 内部载流子电流分配及放大作用。
以NPN 型BJT 为例，为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的
条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压，在这些外加电压的条件下，管内载流子的传输将发生下列过程：
（1）发射区向基区注入电子 ………….
4. 下图所示的为MOSFET 的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增
强型，说明它的开启电压U GS(th) (VT ) ＝？如果是耗尽型，说明它的夹断电压U GS(off) (VP ) ＝？（图中i D 的假定正向为流进漏极）
该FET 为N 沟道耗尽型MOSFET ，其U GS(off) (VP ) ＝-3V ；该FET 为P 沟道增强型MOSFET ，其U GS(th) (VT ) ＝-4V 。
五．电路分析与计算
1. 测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为V A ＝-9V ，
V B ＝-6V ，V C ＝-6.2V ，试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射级e 、集电极c 、并说明此BJT 是NPN 管还是PNP 管。
2. 某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的电流如图，用万用表直流电流档测得I A ＝-2mA ，I B ＝-0.04mA ，I C ＝+2.04mA，试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射级e 、集电极c 、并说明此管是NPN 管还是PNP 管。