SVC补偿原理及其应用

                    电力电容器             2001年 第1期・14・

SV C 补偿原理及其应用

西安电力电容器研究所(西安 710082)  任 强

摘 要 本文简述了SV C () , 无功补偿为例, 简要说明了SV C 并对可控器关键词 SV C 1 SV C SV C , 连续地对波

过分相调整改善系统的三相平衡度。其工作原理简述如下。

图1(a ) 为TCR +FC 型静补装置运行原

理图, 图1(b ) 说明其动态无功平衡过程

动性负荷进行补偿, 有效地抑制系统电压波动和闪变, 同时滤除系统中的高次谐波, 并通

图1 SV C 工作原理图

  图1(a ) 中FC 回路的C 为固定值, 所以超前的无功功率Q C (图1(b ) 中虚线所示) 为固定值, 当负载滞后且其无功功率Q F 变化时, 可以通过调整可控硅的导通角控制滞后无功功率Q L (图1(b ) 中虚线所示) , 使SV C 总的无功输出Q Z =Q C -Q L 发生变化。当负荷Q F 增大时, TCR 产生的无功功率Q L 减少; 当负载Q F 减小时, TCR 产生的无功功率

Q L 增加。即不管负载的无功功率如何变化,

-Q C 近似等于常数, 以抑制负载波动所造成

的系统电压波动和闪变。

SV C 中的可控部分(TCR ) 由可控硅阀

和空心线性电抗器组成。可控硅的触发角可在90°~180°范围内变化, 使TCR 的无功功率Q L 从100%变化到0。TCR 触发角和导通角之间的关系如式(1) 所示。

+Ρ 2=ΠΑ

式中:Ρ——可控硅导通角;

(1)

总要使由系统供给的无功功率Q S =Q F +Q L

Ξ

——可控硅触发角Α

收稿日期:2000—03—01

2001年 第1期              SV C 补偿原理及其应用・15・

TCR 基波电流有效值为:

I L 1=

ΠX l

(2)

的电压波动。

对于负载产生的负序分量, 根据Stein 2m etz 原理(两相无功平衡一相有功) , SV C 的调节器可对系统的有功和无功分量进行实时采样并计算, 然后对TCR 分相调整实现负序补偿, 。

SV C 中的FC 回路TCR 的动

式中:U ——系统基波电压;

X l ——电抗器电抗值

导通角与等效电纳之间是非线性关系, 通常在触发回路中插入线性化校正环节, 以补偿导通角与等效电纳之间的非线性。

SV C 的伏安特性如图2所示

, 。

2TCR 容量确定

SV C 可以应用于不同的对象, 象电力系

统、冶金、电气化铁道等。针对不同的系统, 要做不同的分析, 以确定SV C 的应用方案。电弧炉是一种典型的波动性负载, 除了产生较大的无功波动外, 还伴随有大量的高次谐波和负序分量。下面以电弧炉为例对SV C 的设

图2 SV C 伏安特性

计方法进行讨论。

在针对电弧炉负载进行SV C 系统设计时, 首先要确定抑制电压波动和闪变所需的动态无功补偿容量。电压波动百分值如下式所示:

∃U 3=X 3∃Q S j

式中:X 3——系统总阻抗标么值;

S j ——容量基准值;

(3)

如前所述, SV C 动态无功补偿的目的是为了抑制电压波动和闪变, 从图2可以清楚地看出SV C 对电压波动的抑制作用。AB 为

SV C 伏安特性的可控区, 在感性负载下, 系

统正常工作时的负载特性如直线l 1所示, 二

者的交点L 为系统正常运行时的电压。在

SV C 可控区AB 上, L 点对应的可控硅导通

角为Ρ1, 因此L 点也可以看成是导通角为Ρ1时SV C 等效电抗伏安特性0F 与系统负载线当系统负载变化, 造成系统负载线l 1的交点。

突然从l 1上升至l 2, 使电压升高至K 点时,

SV C 将调整可控硅的导通角为Ρk , 其等效电抗伏安特性为0G , 与负载线l 2交于M 点, 此时SV C 提供滞后无功电流I L (在SV C 伏安特性的第一象限) 在系统阻抗上产生电压降, 抑制负载变化造成的电压波动, 以保持供电电压不远离正常值。同理, 当系统负载变化使电压降低时, SV C 将提供的超前无功电流I C (在SV C 伏安特性的第二象限) , 抑制其造成

∃Q ——无功功率波动量; ∃U 3——电压波动标么值

由式(3) 可知, 当负荷产生∃Q 的无功波动量时, 将引起系统电压波动百分值为∃U 。为了确保系统的供电质量, 国家标准中对PCC 点电压波动及闪变值有所限定。假设

3

PCC 点电压波动允许百分值为∃U li m , 而电

炉运行时产生的电压波动百分值为∃U , 那么为使运行中电压波动值不超过限定值, 需要补偿的最小无功容量为:

33(4) ∃Q m in =S j X

(4) 可知, 在确定SV C 动态无由式(3) 、

                    电力电容器             2001年 第1期・16・

功补偿容量时, 应首先计算出电弧炉运行时所产生的电压波动和系统总阻抗标么值。因此, 在进行系统分析时, 做出较为祥尽的系统供电单线图是十分必要的, 它直接影响SV C 定容的准确性。单线供电图如图3所示

:

中的D 点

;

图4 电弧炉功率圆图

图3U 0—; PCC —;

FB —; C ——钢厂进线; T 1——钢厂主变压器; D ——电弧炉变压器进线; T 2——电弧炉变压器;

E ——短网, 电弧炉变压器二次侧至电极的引线; F ——电弧炉

(3) 电弧炉在熔炼期(额定运行) 时, 其电弧

电流比较稳定, 功率因数co s Υ大约在0175至0.

85之间, 无功功率Q =Q n , 对应图4中的A 点;

从功率圆图可以看出, 电弧炉电极短路时的最大无功功率Q m ax 与额定运行时的无功功率Q n 之差, 即为电弧炉产生的最大无功波动量∃Q m ax , 有以下关系式:

(5) ∃Q m ax =Q m ax co s 2Υ从图3可以看出, 当电炉电极短路时(弧

阻R =0, P =0) , 电弧炉短路容量为:

S d =U 0 X 0

2

计算所需的主要参数为:系统PCC 点最

大、最小短路容量, 线路参数(包括架空线路、电缆线路、短网等) , 电力变压器、电炉变压器参数等。

计算时, 按照严格的条件, 应以系统最小短路容量来计算PCC 点至电源的短路阻抗, 在这种情况下, PCC 点的电压波动量最大。如果SV C 的动态无功补偿容量能满足最小短路容量下PCC 点电压波动允许值要求, 则其他情况下均能满足要求。以下根据电弧炉运行的基本工况, 确定SV C 定容所需的基本参数。

电弧炉运行时有三个典型的工作点, 其功率圆图如图4所示:

(1) 电弧炉三相电极开路时, 此时电炉的有功功率P =0, 无功功率Q =0, 对应图4中的点;

(2) 电弧炉三相电极短路时, 此时电炉的有功功率P =0, 无功功率Q =Q m ax , 对应图4

(6)

式中:U 0——PCC 点电压;

X 0——电弧炉电路总电抗

此时的S d 即为电弧炉最大无功功率Q m ax 。将(6) 式中的参数变换为:

U 0=U U X 0=X X j

2

X j =U j S j

3

j

3

式中:U 3——电压标幺值;

3

X ——电抗标幺值;

U j ——电压基准值; X j ——电抗基准值; S j ——容量基准值

将上述数值代入(6) 式, 得出以下算式

Q m ax =S j X

3

(7)

2001年 第1期              SV C 补偿原理及其应用・17・

(7) 式即可确定电弧炉运行时的由(5) 、

短路容量和最大无功波动量, 这是确定SV C

2. 3 可控器件的参数选择及保护

工程实践证明, SV C 动态补偿效果的好坏及运行可靠性, 很大程度上取决于TCR 的运行状态, 因此, 有必要对可控硅器件的参数选择和保护设置作简要说明。

2. 3. 1 阀电流的计算

可控无功容量的基本参数。

SV C 抑制闪变的性能, 主要取决于SV C 的响应时间和无功功率补偿率。TCR +FC 型SV C 响应时间一般在1~3个周波, 无功功率补偿率一般取0. 6~0. 65, 这样可以取得较好的闪变改善率。由此可以得出SV C 定容估算式:

~0. 65) ∃Q m ax S TCR =(0. 6

2. 2 滤波器设计

90°~

°,

, 2I L 。可控硅的额定电

, 如下式所示。

I KP =(

) I L 2 Π

(9)

序分量, 变外, , 改善系统三相平衡度也是它的主要功能。

SV C 中的FC 回路为补偿兼滤波电路。

FC 回路的基波输出容量应满足负荷功率因

式中:I L —等于90°时流过电抗器的电流在实际计算时, 还应考虑误触发故障、电抗器短路故障和系统短路故障时的过电流, 必须留有充分的电流安全系数K i , 即晶闸管额定电流为:

I KP =(

) K i I L 2 Π

(10)

数补偿的需要, 其各支路的参数设置应保证

PCC 点的谐波含量不超过允许值。SV C 系统

一般情况下, 首先做阀电流的选择, 应尽量减少阀的并联数, 因为阀并联存在着均流问题。当然阀串联时也存在着均压问题, 但阀的故障是短路, 在多个阀串联且有足够储备余量的情况下, 损坏个别阀时, 可照常工作。而在多个阀并联的情况下, 各别阀损坏, 会影响整个TCR 的工作。

2. 3. 2 阀电压及串联数的计算

设计的主要任务之一, 就是做系统谐波分析和滤波器的参数计算。

FC 系统谐波分析的主要内容包括:负荷谐波含量的确定; TCR 谐波发生量的计算; 谐波源叠加计算; 滤波效果检验和滤波支路过负荷校验。

FC 回路参数计算的主要内容包括:支路个数的确定; 支路类型的确定; 支路调谐参数的计算等。电路类型主要为单调谐型和二阶减幅型(C 型回路和高通回路) , 按电压谐振原理计算调谐参数。

FC 回路设计以满足滤波效果和滤波回

~35kV , 虽然TCR 的运行电压一般在6

阀的制造水平在不断提高, 但这样高的电压, 决非单个阀所能承受, 因此必须由N 个晶闸管串联才能构成相应的可控硅阀。在实际计算时, 首先应根据所选用的晶闸管的阻断电压值U DRM 粗算出所需的阀的串联数N , 然后考虑空载时峰值电压分配值、阀余度储备、瞬态过电压等诸因数, 确定安全系数K U 并得出晶闸管的串联数为:

N =

2U 2K U U DRM

(11)

路不过载为标准, 具体计算时, 应在系统最大短路容量下检验滤波效果, 在系统最小短路

容量下检验回路是否过负荷, 并验算滤波回路和系统之间是否出现并联谐振。理想的FC 回路设计方案往往需要多次调整才能获得, 一般采用工程计算软件进行计算。

单个晶闸管分配的电压峰值为:

                    电力电容器             2001年 第1期・18・

U KP =(N -X ) 2U 2 (12)

式中:U 2——TCR 端电压;

相允许损坏数X ——晶闸管

2. 3. 3 阀的过电压保护

件, 其转折电压低于晶闸管的转折电压, 当晶

闸管未导通而出现过电压时, BOD 元件做强制触发, 迫使其导通, 避免管子击穿。3 结束语

轧机等波动性负荷的补SV C 对于电弧炉、

偿技术已日趋成熟, , 目前还发SV C SV C 主要器(微机控制) 的调, 瞬时无功, 将为SV C 的检测环节提供新的算法, 今后的SV C 将在数据处理和动态响应方面有更大的提高。

鉴于TCR 运行时出现的过电压可分为外部过电压(雷击和开关操作) 和内部过电压(换相和阀通断性能差异) 两类, 因此可控硅阀必须配有下述保护:

(1) 避雷器, 用于外部过电压保护, 在系统出现过电压时, 压限制在安全值之内;

(2) ) 压保护(上接第3页) 315 外形美观

与传统的充油集合式电容器相比, 箱壳上除了出线套管和充气阀、气压表外, 再没有油枕、吸湿器、油标、放油阀、油样活门、压力释放阀、温控器及测温孔等附件了, 从而显得简洁、清秀。由于内部结构的精心设计及大容量单元电容器的采用, 产品外形比充油式还要紧凑。更由于不充油, 箱壳上绝不会出现影响外观的斑斑油迹, 会始终保持洁净、光亮的外部形象。也不因会绝缘油泄漏而造成对环境的污染。

316 运行维护简单

产品设计正常运行的气压范围为01001~01065M Pa , 且型式试验和出厂试验中的所有电气试验项目却是在“0”表压下进行的, 每台产品在出厂前都经过严格的密封性检验, 确保年漏率在1%以下。通常情况下, 在产品的整个寿命期间是不需要补气的。如果电接点气压表的指标超过01065M Pa , 可以报警或跳闸; 如果气压接近下限值, 可通过充气阀进行补气, 补充SF 6或N 2都能满足绝缘要求。除了监视气压并在必要时进行补气之外,

常规的电容测量和绝缘电阻试验也还是必要

的。充油集合式电容器需要的油样测试、定期更换吸湿器内干燥剂和及时清理被油迹污染的外表面等日常维护工作, 对充气电容器都没有必要了。

4 生产现状和发展前景

1999年西容厂开始向内蒙和江苏的用户提供充气集合式电容器, 在2000年9月份两行业联合鉴定后市场逐步打开, 用户对这种干式电容器的优越性开始有所认识, 两年来向内蒙、江苏、山西、广西、陕西等地区提供了单台容量为600、1200、1800、2000、2400、4800kvar 的充气集合式电容器共20M var 。

由于充气集合式电容器除具有通常集合式电容器的体积小, 占地省、安装方便, 具有难燃、防爆、寿命长、价格低以及外形美观、运行维护简单等优点外, 还是城乡电网建设和改造所需要的优选产品, 因而具有广阔的市场前景。同时, 充气集合式电容器本身还必须向更高电压和更大的单台容量方向发展, 还要不断总结制造和运行经验, 使之能更好地满足各方面用户的广泛需要。

                    电力电容器             2001年 第1期・14・

SV C 补偿原理及其应用

西安电力电容器研究所(西安 710082)  任 强

摘 要 本文简述了SV C () , 无功补偿为例, 简要说明了SV C 并对可控器关键词 SV C 1 SV C SV C , 连续地对波

过分相调整改善系统的三相平衡度。其工作原理简述如下。

图1(a ) 为TCR +FC 型静补装置运行原

理图, 图1(b ) 说明其动态无功平衡过程

动性负荷进行补偿, 有效地抑制系统电压波动和闪变, 同时滤除系统中的高次谐波, 并通

图1 SV C 工作原理图

  图1(a ) 中FC 回路的C 为固定值, 所以超前的无功功率Q C (图1(b ) 中虚线所示) 为固定值, 当负载滞后且其无功功率Q F 变化时, 可以通过调整可控硅的导通角控制滞后无功功率Q L (图1(b ) 中虚线所示) , 使SV C 总的无功输出Q Z =Q C -Q L 发生变化。当负荷Q F 增大时, TCR 产生的无功功率Q L 减少; 当负载Q F 减小时, TCR 产生的无功功率

Q L 增加。即不管负载的无功功率如何变化,

-Q C 近似等于常数, 以抑制负载波动所造成

的系统电压波动和闪变。

SV C 中的可控部分(TCR ) 由可控硅阀

和空心线性电抗器组成。可控硅的触发角可在90°~180°范围内变化, 使TCR 的无功功率Q L 从100%变化到0。TCR 触发角和导通角之间的关系如式(1) 所示。

+Ρ 2=ΠΑ

式中:Ρ——可控硅导通角;

(1)

总要使由系统供给的无功功率Q S =Q F +Q L

Ξ

——可控硅触发角Α

收稿日期:2000—03—01

2001年 第1期              SV C 补偿原理及其应用・15・

TCR 基波电流有效值为:

I L 1=

ΠX l

(2)

的电压波动。

对于负载产生的负序分量, 根据Stein 2m etz 原理(两相无功平衡一相有功) , SV C 的调节器可对系统的有功和无功分量进行实时采样并计算, 然后对TCR 分相调整实现负序补偿, 。

SV C 中的FC 回路TCR 的动

式中:U ——系统基波电压;

X l ——电抗器电抗值

导通角与等效电纳之间是非线性关系, 通常在触发回路中插入线性化校正环节, 以补偿导通角与等效电纳之间的非线性。

SV C 的伏安特性如图2所示

, 。

2TCR 容量确定

SV C 可以应用于不同的对象, 象电力系

统、冶金、电气化铁道等。针对不同的系统, 要做不同的分析, 以确定SV C 的应用方案。电弧炉是一种典型的波动性负载, 除了产生较大的无功波动外, 还伴随有大量的高次谐波和负序分量。下面以电弧炉为例对SV C 的设

图2 SV C 伏安特性

计方法进行讨论。

在针对电弧炉负载进行SV C 系统设计时, 首先要确定抑制电压波动和闪变所需的动态无功补偿容量。电压波动百分值如下式所示:

∃U 3=X 3∃Q S j

式中:X 3——系统总阻抗标么值;

S j ——容量基准值;

(3)

如前所述, SV C 动态无功补偿的目的是为了抑制电压波动和闪变, 从图2可以清楚地看出SV C 对电压波动的抑制作用。AB 为

SV C 伏安特性的可控区, 在感性负载下, 系

统正常工作时的负载特性如直线l 1所示, 二

者的交点L 为系统正常运行时的电压。在

SV C 可控区AB 上, L 点对应的可控硅导通

角为Ρ1, 因此L 点也可以看成是导通角为Ρ1时SV C 等效电抗伏安特性0F 与系统负载线当系统负载变化, 造成系统负载线l 1的交点。

突然从l 1上升至l 2, 使电压升高至K 点时,

SV C 将调整可控硅的导通角为Ρk , 其等效电抗伏安特性为0G , 与负载线l 2交于M 点, 此时SV C 提供滞后无功电流I L (在SV C 伏安特性的第一象限) 在系统阻抗上产生电压降, 抑制负载变化造成的电压波动, 以保持供电电压不远离正常值。同理, 当系统负载变化使电压降低时, SV C 将提供的超前无功电流I C (在SV C 伏安特性的第二象限) , 抑制其造成

∃Q ——无功功率波动量; ∃U 3——电压波动标么值

由式(3) 可知, 当负荷产生∃Q 的无功波动量时, 将引起系统电压波动百分值为∃U 。为了确保系统的供电质量, 国家标准中对PCC 点电压波动及闪变值有所限定。假设

3

PCC 点电压波动允许百分值为∃U li m , 而电

炉运行时产生的电压波动百分值为∃U , 那么为使运行中电压波动值不超过限定值, 需要补偿的最小无功容量为:

33(4) ∃Q m in =S j X

(4) 可知, 在确定SV C 动态无由式(3) 、

                    电力电容器             2001年 第1期・16・

功补偿容量时, 应首先计算出电弧炉运行时所产生的电压波动和系统总阻抗标么值。因此, 在进行系统分析时, 做出较为祥尽的系统供电单线图是十分必要的, 它直接影响SV C 定容的准确性。单线供电图如图3所示

:

中的D 点

;

图4 电弧炉功率圆图

图3U 0—; PCC —;

FB —; C ——钢厂进线; T 1——钢厂主变压器; D ——电弧炉变压器进线; T 2——电弧炉变压器;

E ——短网, 电弧炉变压器二次侧至电极的引线; F ——电弧炉

(3) 电弧炉在熔炼期(额定运行) 时, 其电弧

电流比较稳定, 功率因数co s Υ大约在0175至0.

85之间, 无功功率Q =Q n , 对应图4中的A 点;

从功率圆图可以看出, 电弧炉电极短路时的最大无功功率Q m ax 与额定运行时的无功功率Q n 之差, 即为电弧炉产生的最大无功波动量∃Q m ax , 有以下关系式:

(5) ∃Q m ax =Q m ax co s 2Υ从图3可以看出, 当电炉电极短路时(弧

阻R =0, P =0) , 电弧炉短路容量为:

S d =U 0 X 0

2

计算所需的主要参数为:系统PCC 点最

大、最小短路容量, 线路参数(包括架空线路、电缆线路、短网等) , 电力变压器、电炉变压器参数等。

计算时, 按照严格的条件, 应以系统最小短路容量来计算PCC 点至电源的短路阻抗, 在这种情况下, PCC 点的电压波动量最大。如果SV C 的动态无功补偿容量能满足最小短路容量下PCC 点电压波动允许值要求, 则其他情况下均能满足要求。以下根据电弧炉运行的基本工况, 确定SV C 定容所需的基本参数。

电弧炉运行时有三个典型的工作点, 其功率圆图如图4所示:

(1) 电弧炉三相电极开路时, 此时电炉的有功功率P =0, 无功功率Q =0, 对应图4中的点;

(2) 电弧炉三相电极短路时, 此时电炉的有功功率P =0, 无功功率Q =Q m ax , 对应图4

(6)

式中:U 0——PCC 点电压;

X 0——电弧炉电路总电抗

此时的S d 即为电弧炉最大无功功率Q m ax 。将(6) 式中的参数变换为:

U 0=U U X 0=X X j

2

X j =U j S j

3

j

3

式中:U 3——电压标幺值;

3

X ——电抗标幺值;

U j ——电压基准值; X j ——电抗基准值; S j ——容量基准值

将上述数值代入(6) 式, 得出以下算式

Q m ax =S j X

3

(7)

2001年 第1期              SV C 补偿原理及其应用・17・

(7) 式即可确定电弧炉运行时的由(5) 、

短路容量和最大无功波动量, 这是确定SV C

2. 3 可控器件的参数选择及保护

工程实践证明, SV C 动态补偿效果的好坏及运行可靠性, 很大程度上取决于TCR 的运行状态, 因此, 有必要对可控硅器件的参数选择和保护设置作简要说明。

2. 3. 1 阀电流的计算

可控无功容量的基本参数。

SV C 抑制闪变的性能, 主要取决于SV C 的响应时间和无功功率补偿率。TCR +FC 型SV C 响应时间一般在1~3个周波, 无功功率补偿率一般取0. 6~0. 65, 这样可以取得较好的闪变改善率。由此可以得出SV C 定容估算式:

~0. 65) ∃Q m ax S TCR =(0. 6

2. 2 滤波器设计

90°~

°,

, 2I L 。可控硅的额定电

, 如下式所示。

I KP =(

) I L 2 Π

(9)

序分量, 变外, , 改善系统三相平衡度也是它的主要功能。

SV C 中的FC 回路为补偿兼滤波电路。

FC 回路的基波输出容量应满足负荷功率因

式中:I L —等于90°时流过电抗器的电流在实际计算时, 还应考虑误触发故障、电抗器短路故障和系统短路故障时的过电流, 必须留有充分的电流安全系数K i , 即晶闸管额定电流为:

I KP =(

) K i I L 2 Π

(10)

数补偿的需要, 其各支路的参数设置应保证

PCC 点的谐波含量不超过允许值。SV C 系统

一般情况下, 首先做阀电流的选择, 应尽量减少阀的并联数, 因为阀并联存在着均流问题。当然阀串联时也存在着均压问题, 但阀的故障是短路, 在多个阀串联且有足够储备余量的情况下, 损坏个别阀时, 可照常工作。而在多个阀并联的情况下, 各别阀损坏, 会影响整个TCR 的工作。

2. 3. 2 阀电压及串联数的计算

设计的主要任务之一, 就是做系统谐波分析和滤波器的参数计算。

FC 系统谐波分析的主要内容包括:负荷谐波含量的确定; TCR 谐波发生量的计算; 谐波源叠加计算; 滤波效果检验和滤波支路过负荷校验。

FC 回路参数计算的主要内容包括:支路个数的确定; 支路类型的确定; 支路调谐参数的计算等。电路类型主要为单调谐型和二阶减幅型(C 型回路和高通回路) , 按电压谐振原理计算调谐参数。

FC 回路设计以满足滤波效果和滤波回

~35kV , 虽然TCR 的运行电压一般在6

阀的制造水平在不断提高, 但这样高的电压, 决非单个阀所能承受, 因此必须由N 个晶闸管串联才能构成相应的可控硅阀。在实际计算时, 首先应根据所选用的晶闸管的阻断电压值U DRM 粗算出所需的阀的串联数N , 然后考虑空载时峰值电压分配值、阀余度储备、瞬态过电压等诸因数, 确定安全系数K U 并得出晶闸管的串联数为:

N =

2U 2K U U DRM

(11)

路不过载为标准, 具体计算时, 应在系统最大短路容量下检验滤波效果, 在系统最小短路

容量下检验回路是否过负荷, 并验算滤波回路和系统之间是否出现并联谐振。理想的FC 回路设计方案往往需要多次调整才能获得, 一般采用工程计算软件进行计算。

单个晶闸管分配的电压峰值为:

                    电力电容器             2001年 第1期・18・

U KP =(N -X ) 2U 2 (12)

式中:U 2——TCR 端电压;

相允许损坏数X ——晶闸管

2. 3. 3 阀的过电压保护

件, 其转折电压低于晶闸管的转折电压, 当晶

闸管未导通而出现过电压时, BOD 元件做强制触发, 迫使其导通, 避免管子击穿。3 结束语

轧机等波动性负荷的补SV C 对于电弧炉、

偿技术已日趋成熟, , 目前还发SV C SV C 主要器(微机控制) 的调, 瞬时无功, 将为SV C 的检测环节提供新的算法, 今后的SV C 将在数据处理和动态响应方面有更大的提高。

鉴于TCR 运行时出现的过电压可分为外部过电压(雷击和开关操作) 和内部过电压(换相和阀通断性能差异) 两类, 因此可控硅阀必须配有下述保护:

(1) 避雷器, 用于外部过电压保护, 在系统出现过电压时, 压限制在安全值之内;

(2) ) 压保护(上接第3页) 315 外形美观

与传统的充油集合式电容器相比, 箱壳上除了出线套管和充气阀、气压表外, 再没有油枕、吸湿器、油标、放油阀、油样活门、压力释放阀、温控器及测温孔等附件了, 从而显得简洁、清秀。由于内部结构的精心设计及大容量单元电容器的采用, 产品外形比充油式还要紧凑。更由于不充油, 箱壳上绝不会出现影响外观的斑斑油迹, 会始终保持洁净、光亮的外部形象。也不因会绝缘油泄漏而造成对环境的污染。

316 运行维护简单

产品设计正常运行的气压范围为01001~01065M Pa , 且型式试验和出厂试验中的所有电气试验项目却是在“0”表压下进行的, 每台产品在出厂前都经过严格的密封性检验, 确保年漏率在1%以下。通常情况下, 在产品的整个寿命期间是不需要补气的。如果电接点气压表的指标超过01065M Pa , 可以报警或跳闸; 如果气压接近下限值, 可通过充气阀进行补气, 补充SF 6或N 2都能满足绝缘要求。除了监视气压并在必要时进行补气之外,

常规的电容测量和绝缘电阻试验也还是必要

的。充油集合式电容器需要的油样测试、定期更换吸湿器内干燥剂和及时清理被油迹污染的外表面等日常维护工作, 对充气电容器都没有必要了。

4 生产现状和发展前景

1999年西容厂开始向内蒙和江苏的用户提供充气集合式电容器, 在2000年9月份两行业联合鉴定后市场逐步打开, 用户对这种干式电容器的优越性开始有所认识, 两年来向内蒙、江苏、山西、广西、陕西等地区提供了单台容量为600、1200、1800、2000、2400、4800kvar 的充气集合式电容器共20M var 。

由于充气集合式电容器除具有通常集合式电容器的体积小, 占地省、安装方便, 具有难燃、防爆、寿命长、价格低以及外形美观、运行维护简单等优点外, 还是城乡电网建设和改造所需要的优选产品, 因而具有广阔的市场前景。同时, 充气集合式电容器本身还必须向更高电压和更大的单台容量方向发展, 还要不断总结制造和运行经验, 使之能更好地满足各方面用户的广泛需要。


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