多晶硅生产工艺流程(简介)
多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，液氯汽化、氯化氢合成、电解制氢、三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化、精馏、还原、后处理（硅芯拉制、石墨煅烧、硅料清洗、氮氧化物的处理、超纯水的制备、机加工、破碎包装），尾气回收。
主要反应包括
△Cl（l）→cl2（g）（液氯汽化）
Cl2+H2燃烧
→HCl（氯化氢的合成）
H2O→H2+O2（H2O→OH-+H2；OH-→H2O+O2）（制氢） Si+HCl→SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;
SiCl4+H2→SiHCl3+HCl（热氢化）;
SiHCl3+H2→SiCl4+HCl+Si（还原）
Nox+NaOH→NaNO3+H2O+NO（氮氧化物的处理） HCl（HF）+NaOH→NaCl（NaF）+H2O（氮氧化物的处理） 多晶硅是由纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。多晶硅行业技术封锁严重。短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。
西门子改良法生产工艺如下：
这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境污染小，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。
（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。
（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径8-10mm，长度2500mm，数量48根），在1050-1100℃下，在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200mm。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
多晶硅生产工艺流程(简介)
多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，液氯汽化、氯化氢合成、电解制氢、三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化、精馏、还原、后处理（硅芯拉制、石墨煅烧、硅料清洗、氮氧化物的处理、超纯水的制备、机加工、破碎包装），尾气回收。
主要反应包括
△Cl（l）→cl2（g）（液氯汽化）
Cl2+H2燃烧
→HCl（氯化氢的合成）
H2O→H2+O2（H2O→OH-+H2；OH-→H2O+O2）（制氢） Si+HCl→SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;
SiCl4+H2→SiHCl3+HCl（热氢化）;
SiHCl3+H2→SiCl4+HCl+Si（还原）
Nox+NaOH→NaNO3+H2O+NO（氮氧化物的处理） HCl（HF）+NaOH→NaCl（NaF）+H2O（氮氧化物的处理） 多晶硅是由纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。多晶硅行业技术封锁严重。短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。
西门子改良法生产工艺如下：
这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境污染小，具有明显的竞争优势。改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。
（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。
（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径8-10mm，长度2500mm，数量48根），在1050-1100℃下，在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200mm。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。