姓名： 班级： 学号：
密封线请在本线宽度范围内出题3、深能级杂质 4、费米能级 5、本征激发
三、简答题（每题6分，共30分）
1、从带隙及载流子占据的能级等方面说明导体、半导体和绝缘体的导电性。 2、简述光伏材料和半导体材料的区别和联系。
3、以Si 在GaAs 中的行为为例，说明IV 族杂质在III-V 族化合物中可能出现的双性行为及电子浓度 随杂质浓度的变化。
4、画图并简要说明N 型半导体中电子浓度随温度变化的趋势。 5、什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体，有何区别？ 四、计算题(每题10分, 共20分)
1、在室温300K 下，锗的有效态密度N C =1.05⨯1019/cm 3，N V =5.7⨯1018/cm 3。计算77K 时的N C 和N V 。 2、有一块掺磷的n 型硅，N D =1015cm -3，计算温度为500K 时导带中电子浓度n 0及价带中空穴浓度p 0
（已知500K 时硅本征载流子浓度n i=3.5×1014cm -3）。
第2页（共2页）
姓名： 班级： 学号：
密封线请在本线宽度范围内出题3、深能级杂质 4、费米能级 5、本征激发
三、简答题（每题6分，共30分）
1、从带隙及载流子占据的能级等方面说明导体、半导体和绝缘体的导电性。 2、简述光伏材料和半导体材料的区别和联系。
3、以Si 在GaAs 中的行为为例，说明IV 族杂质在III-V 族化合物中可能出现的双性行为及电子浓度 随杂质浓度的变化。
4、画图并简要说明N 型半导体中电子浓度随温度变化的趋势。 5、什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体，有何区别？ 四、计算题(每题10分, 共20分)
1、在室温300K 下，锗的有效态密度N C =1.05⨯1019/cm 3，N V =5.7⨯1018/cm 3。计算77K 时的N C 和N V 。 2、有一块掺磷的n 型硅，N D =1015cm -3，计算温度为500K 时导带中电子浓度n 0及价带中空穴浓度p 0
（已知500K 时硅本征载流子浓度n i=3.5×1014cm -3）。
第2页（共2页）