超支化有机硅基聚合物

第20卷第2/3期2008年3月

化学进展

V01.20No.2/3

Mar.,2008

PROGRESSINCHEMISTRY

超支化有机硅基聚合物*

张国彬1

范晓东卜。

杰1

刘郁杨1解云川I

(1.西北X-业大学理学院应用化学系摘

西安710072;2.西安交通大学理学院应用化学系西安710049)

超支化有机硅基聚合物(HBOSP)是一类新型功能性半有机半无机聚合物,在催化剂载体、陶瓷

前驱体、发光材料和耐热材料等领域都有非常广阔的应用前景。本文概述了近10年来利用AB,、A2.B。或

A2一B7B;一。以及B,.AB。型单体制备新型结构HBOSP的进展,以及对这类聚合物的分子量及其分布和支化度

调控的研究进展;着重总结了近年来针对该类聚合物的端基功能化改性及其应用情况,并在此基础上展望了该类聚合物的研究趋势。

关键词

超支化有机硅基聚合物

分子量分布

支化度

端基改性

中图分类号:0634.4+1

文献标识码:A

文章编号:1005.28lX(2008)02/3.0326.13

HyperbranchedOrganosiliconPolymers

ZhangGuobinlFanXiaodong¨’

Kong此1

LiuYuyan91

Xie

Yunchuan2

(1.DepartmentofAppliedChemistry,SchoolofScience,NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xi’an710072,China;

2.DepartmentofAppliedChemistry,SchoolofScience,Xi7anJiaotongUniversity,Xi’all710049,China)

Abstract

great

Hyperbmnchedorganosiliconpolymers(HBOSP),anewkindoffunctional

to

semi・organic

polymers

are

of

potentialbe印pliedincatalyst

carriers,ceramic

reeent

precursors,electroluminescent

polymers,heat—resistant

elastomers,etc.Inthispaper,newmethodsin10yearsforsynthesesofHBOSPfromnewmonomers,including

B/一AB。monomerspair,aresummarized.Particularly,the

its

AB,monomer,如一B,or

researchprogress

on

A2-B’B,.1

monomerspairand

regulationofmacromolecularweightand

on

distribution

as

wellwell

as

degreeofbranching.arecorresponding

applications.

discussed.TheemphasisisalsoputFinally.newresearchtrends

Keywordsmodification

are

theirterminalfunctionalmodifications

on

asa8

reviewedbased

theprogressofHBOSP.

hyperbranchedorganosiliconpolymers;molecularweightdistribution;degreeofbranching;terminal

引言

超支化聚合物由于其新奇独特的大分子结构和

有机硅氧烷和聚有机碳硅氮烷等。超支化有机硅基聚合物由于兼具了有机硅聚合物和超支化结构带来的优良性能,自1991年Mathias拉1首次报道了超支化聚有机硅氧烷以来,对这类聚合物的设计与合成就引起了研究者们极大的兴趣。目前已经有大量此类聚合物被设计、合成,并经过功能化改性被应用于催化剂载体、陶瓷前驱体和发光材料等诸多方面。其功能和应用领域不断拓宽,有关其研究进展情况已经在一些综述性文章中有部分涉及¨-51,但都不全

较低的熔融黏度以及多官能性和易于制备等特点成为近20年来高分子领域的一个研究热点…。其中超支化有机硅基聚合物(hyperbranched

organosilicon

polymers,HBOSP)是主链由硅、碳、氧和氮等元素组成,侧基为有机基团的高度支化的聚合物。按照主链组成元素的不同,可分为超支化聚有机碳硅烷、聚

收稿:2007年4月,收修改稿:2007年6月

*西北工业大学科技创新基金项目(No.M450211)和陕西省自然科学基金项目(No.2006m5)资助*-'k通讯联系人e-mail:xfand@126.com,zgbshamu@126.tom

第2/3期张国彬等超支化有机硅基聚合物

面且不能反映其近期的研究现状。因此本文在比较系统总结文献和整理本课题组工作的基础上,主要针对近lO年来有关HBOSP的合成与制备新方法、新结构及其改性和应用的最新研究情况进行了评述,并展望了今后有关该类聚合物研究的发展趋势和应该着力加强的研究方向。

2.1

=-s芟H什s‘《}2=,—t《H

7IiI≥;≤夕t<H≥一≤夕芝

卟9.F一F噶9r≈o\

.,sI、

HBOSP的分子设计、合成

AB。单体自缩聚法制备HBOSP

HBOSP主要是利用AB,单体(省≥2)的自缩聚

反应来制备。其中硅氢加成反应由于反应活性高和不易受干扰等特点成为制备此类聚合物最常用的反应。研究得最早、最多的HBOSP是超支化聚硅氧烷,其主链由si和0或Si、0和C元素组成。Mathias和Carothers幢1最先报道了利用AB,型单体Ml通过硅氢加成合成主链为Si—O—si—C的超支化聚硅氧烷P1,其单体和聚合物的结构如图1

所示。

I£_[罩=rj=rq≮’g~/

卞‘}A㈡投pH

H>;≤#≯t≤#夕t≤芒:

刮sH—z—c寸淼会

b净繁Six』八荽-,/

N,‘一

一H

图2

八H

制备主链为Si一伊一Si—C超支化聚硅氧烷用单

体[7.sA”m”1

Fig.2with

Monomersforsynthesesofhyperbranehedpolysiloxanes

mainchain(7.8A2--17,”】

Si—o—Si—C

一个A官能团的多氯硅烷和只含一个B官能团的单氯硅烷在控制条件下进行共水解缩合合成,这种方法步骤繁琐而且由于无法避免副反应(氯硅烷的自身缩合),因而产率很低。M7和Mg分别是由乙烯基二(三)氯硅烷与中间体双(二甲基硅氧基)甲基羟基硅烷缩合生成,但是该中间体的合成产率很低且不太稳定,造成M7和M8的合成也较为困难。因此利用含有可以相互反应的不同官能团的两种硅烷简单定向地缩合制备所需单体可以简化合成步骤,

圈1

Fig.1

Mathias合成的单体及其超支化聚合物‘21

Scheme

representation

of

monomer

and

its

提高单体产率。例如Vasilenko等№1利用(HMe吃SiO):(Me)SiO(Me2)Si(CH2)2(Me2)SiCl与vi(Me2SiO)。Li

hyperbranehedpolymersynthesizedbyMathias【2】

发生亲核取代反应(Si—O—u和Si—Cl键反应)制

备了单体M12;类似地,Oishi等n1利用ViPhNpSiOLi与HMeSiCl2反应制备了单体M13;王欣等¨1通过非

用于制备超支化聚硅氧烷的其它AB。单体M2一M15见图2。Ml—M6和M9一M11是通过只含

7lMtEO-...露S

・328・

学进展

第20卷

水解法,即三氯化铁催化含双键的三烷氧基硅烷和含SigH的单氯硅烷发生缩合高产率地制备了3种AB,型单体M2、M14和M15。

与M1类似,单体M2一M15都可以通过铂催化的硅氢加成反应聚合生成相应的超支化聚合物P2一P15,其大分子结构也与Pl类似。

Muzafarov等阳’1们合成两种AB,型超支化单体

M16和M17,这两种单体通过si—OH或Si—OCOCH3与乙氧基发生缩聚反应生成主链为Si—

Oqi链节、端基为乙氧基的超支化聚硅氧烷

(图3)。

HO・Si(OEt)3:竺竺.

M16

NH3

、。l\

吼…剐嘶等H。曼EtO137℃

H.

CCOO""O擎Et

.殳i/。了’

E准。一s吒/...-OEt

图3

主链为Si一0一si的超支化聚硅氧烷的制备帆’01

rig・3

Syntheses

of

hyperbranched

polysiloxane.s

with

si—O—Si

mainchain[9,10】

上述单体的合成均较为复杂,因此研究者转而寻求其他更方便地合成硅氧烷单体的方法。其中最常用的是通过氯硅烷与烯醇或者炔醇发生脱HCI缩合反应合成由Si一0一C组成的单体M18--M26(图4)。这些单体通过硅氢加成生成相应主链为si—

O—C的超支化聚硅氧烷P18一P26。这类单体的合

成非常方便,并且由于si—O—c键易水解,所得聚

合物具有可降解性,有望应用于分子模板和酶模拟等领域¨引o

P1一P26的重均分子量(肘。)及分子量分布系

数(M./M。)和支化度(degree

of

branching,DB,主要

通过NMR定量分析计算得到)的数值列于表1。从表1可知,相对于普通线性聚合物,一步法制备的超支化聚合物分子量通常较小且分子量分布较宽,难以控制,其典型数值为肘.约为5

00卜20

000S/moli

M。/M。约为2—5;DB值和理论值¨¨较为接近,说明这些聚合物的确呈现超支化结构。

≥;龆

H、/o—∥5

,s‘<、,、

u——\==

M19

o¨

H、st<吕:三¨

M21

¨

》<。o\_/--㈣o-c

ll

¨

OM23

/_/

≤享

/o≮一

。b≯二

M25

M26

图4

制备主链为si一沪C的超支化聚硅氧烷用单

体‘1”纠

飚.4

Monomersforsynthesesofhyperbranchedpolysiloxanes

wim

Si—o—C

mainchain[18—22】

表1用AB,单体合成的超支化聚硅氧烷的参数

Table1

Pammetemofhyperbranchedpolygiloxanes

synthesized

fromAB#monomers

HBOsPre.actionconditionM。‘

M√J】Ifn‘DB

P1

L2J

H2PtCl6/52℃/8h19000

一一

p2[12J

Pt—C

or

H2

Ptcl6,22—5200一14

600

1.8—4.9一100℃

p3[12]

㈣∞p2

50伊一12500

1.5--2.6一P4【…Pt—C/refluxin

hexane/4h

10500一

p5[14・15】

Kamtedt’8catalyst

93002.0一P6Ll“Pt.C/50℃/2--3

58001.7

一P7L16Jsme∞P6

89002.6——p8L”J

目llne∞P6

6500

2.2

p9117・21】Pt.C/500C/3--4h

9980——0.53P10[17,21]Ⅷ"∞P9

13200一0.47P11[17,21]∞m∞P9

8600

一0.42

P13[7】

Karstedt’scatalyst/600C/4320

2.1

0.43

6h+80℃/6h

P14[s]

Karstedt’scatalyst/60。C

12060

4.82P15[83H2nC】6,60℃

6858

2.74P16[9・to]

—30℃/lh+r.t./ore-≈8000

却4.0

might

P17[911370C,6-一33h

lOo_一2

2∞k

O.3—由.44

P18[1s]

}kPtck,1.5hor

一10k

Coz(co)8/25h

P19Ira]H2PtCl6/70℃/Sh102003.33

p.20120]H2PtCts/r.t.,24h—

3.66

P21[2l】H2PtCh,/800C,一4h

13240P22[21]

sBIIle

as

1>21

14230p23TM]

8agile∞P2l13890I>24[zz]n.C,90℃/1.75h2]60b1.94p25

Cm]

PI-C,90℃/2h7mob

2.12p26[221

Pt-C,90℃/3h

600‘

2.57

(a)all

thedata

amdetermined

byBi∞exclusionchromatogram(SEC)

technology;(b)thesemMnvaluesdeterminedbyvaporpressureosmometry

(VPO)technology

第213期

张国彬等超支化有机硅基聚合物

除了超支化聚硅氧烷,另一类研究得较多的HBOSP是超支化聚碳硅烷,其主链上只含有Si和C。图5列出了用于制备超支化聚碳硅烷的单体

H高∈H毒cH毒∞喾悯;∈

址s巳毡s当

脚£申下删

吣--轴Si一一H

图5用于制备超支化聚碳硅烷的单体∞一圳

F培.5

Monomers

for

syntheses

of

hyperbranched

polycadxⅪilancs【”一”】

M27一M38。这些单体主要是利用氯硅烷与相应的有机金属试剂(格氏试剂或有机锂试剂等)发生亲核取代反应来制备,如M28是通过MeHSiCl:与烯丙基氯格氏试剂反应生成心引;M36通过MeHSiCl2与对苯乙炔基锂反应生成㈨1。单体M27--M36通过硅氢加成反应生成超支化聚合物P27--P36;而M37∞1和M38胁1是潜在的AB,和AB:型单体,需要与镁反应

转变为格氏试剂RMgCl后再与Si—Cl键发生亲核

取代反应生成端基为Si—cl键的超支化聚合物,然后再用LiAIH4将其还原为端基为Si—H键的稳定聚合物,反应过程见图6。这些超支化聚碳硅烷的参数列于表2。

除了超支化聚硅氧烷和聚碳硅烷,AB。单体法还可以制备主链含有N和S等杂元素的HBOSP,所用单体见图7。如笔者啪J¨通过氯硅烷胺解或者与锂化二硅氮烷的亲核取代反应合成了由Si—N—C

或者Si—N—Si链接组成的AB4或AB:型单体

M39--M43。这些单体可以通过硅氢加成反应生成相应的超支化聚碳硅氮烷P39--P43,例如聚合物P42的结构如图8所示。Son等旧1先将潜在的A取单体M44与Mg反应生成格氏试剂(AB,单体),然后格氏试剂原位与烷氧基反应生成超支化聚硅基噻吩,并通过端基改性制备了4种不同端基的稳定

c螂哟寺

/CI

CIMgCH2-9刍Cl

M37

H坪一&cb

cI毋_cH2一c‘翱一彳H2

\CIc13S卜-eH2

c‘3s卜_cH2一sicI_一cH2一争ic卜。cH2一s÷~V~

C13si——cH2——sicb——亡H2

C.H2

P37

CI毋一cH2一S℃12

H再一SiH3l

LiAIH4

H3s卜cH2一Hj—cH2

H3s卜cH2一Hsi一9H2

●H3Si'--'C

HaS卜-cH2一siH—cH2一争H—cH2一sp^~

H3Si_cH2一s州2一CH2

fH2

P37名iH

H3&——CH2——SiH2

图6亲核取代法制备超支化聚碳硅烷㈨

Fig.6

Syntheses

of

hyperbranched

polycarbosilanes

via

nucleophilicsubstitutionreaction【”】

Parametersofhyperbranchedpolycarbosilanessynthesized

AB。monomers

reactioncondition

J!If。M。/M。DB

8700

9.29

一Pt,20

or

40

or∞oC6.6—201.5k2.37—6.57一or

80℃

6.2一175.4k2.44—9.17

一n,20℃

I.卜一118.6kI.5—4.%

160002.840.42Pt/r.t./lh

75402.37

0.44

5550

2.16——

Karstedt’8catalyst/50。C/2720・一0

56

2h

RhCI(PPh3)3/NaI/80。C

700002.0一Rhl(PPh3)3/80%/2h

300005.5一Mg/Et20

5200

6.9

一坚型兰!zQ!!:!:!竺竺堂堂

竺!竺塑

am肘nvalII∞determined

by

vapor

pressure

osmomclry(VPO)

or

thiophene)。

除了AB。单体法,近年来有研究者利用如.B。

表2用AB,单体制备的超支化聚碳硅烷的参数

TablefromHBOSP

P,27123]pt2+/80%/5hP28[驯

P29【矧Pt/20

P30[”】

P3I【驯Pt/r.t./lh

P32[2"/J

P33[27]Pt/r.t./lh+46。C/18hP34[”】

P35[”】P36[“】P37【”】

旦!!竺!

technology

(a)these超支化聚合物P44.R(R=Me,Vi,Ph

他们b列还合成了单体M45~M52,这些单体通过硅氢加成反应聚合生成超支化聚硅基呋喃或者噻吩。这些聚合物的参数列于表3。

2.2如.B,(A2.B’B:一。)单体对法制备HBOSP

或赴.B’B川(菇≥3)单体对共缩合的方法制备

HBOSP。这种方法具有原料易得和可以通过控制二者投料比方便地调节分子量等优点,更适合于大规模生产和应用。例如Hall等mo利用己二酸二特丁酯M53为A2单体,含4个Si—cl键的硅烷M54

学进展

第20卷

3畔N∈’一挂f

H.S;_N∈m:i—N宝.≤/一、iy

㈣嘴・口一埝・・一弋x斥

M“

MM4465,,x=X=Os

ⅢM487.,X=X=sO

\蕊殄轱如

Me2SiC

Me忐i/2

r;一

呷冬◇.》

一:}一≯卜

一!卫一y8f汁≮、≯轳中号i毫.笋、¨欺、

7生s卜=

为B4单体通过缩合反应制备了超支化聚硅酯,见图9。此外,四乙氧基硅烷(M55)或三乙氧基硅烷(M57、M59)的水解反应或者与二官能度酸酐M58的酯交换反应也是Az.B3或A2.B4单体对方法‘35一川。

。裟

a扣a

a喈

—+

HBOSP

时S产i--O¨H20

即一.F+M弱薪勰g.‰岳v、s品L争向≮屯日

M55

声‘-of

0\Et

图9如.B;单体对法制备超支化聚硅氧烷Ⅲ】

rig.9

Syntlleses

of

hyperbranchedpolysiloxanes

viaA2一B,

monomem

pairme&od‘“】

“u等[3。_411通过如.B4方法制备了含有噻吩或

者咔唑基团的HBOSP,所用单体M60--M69见图lO。

其中左边为A2单体,右边为B4单体,相互之间发生Suzuki偶合反应或者通过格氏试剂发生亲核取代反应,同时消去含硼基团和溴基从而生成超支化聚碳硅烷,如聚合物P60—61(M60和M61反应产物,下同)、P60.62、P63.62、P64.62、P66.62、P67.62、P60.65、P66-65和P68.69。Tang等m’431通过如.B3方法,即利用二锂化二茂铁M70与三氯硅烷M71.M76发生亲核取代反应制备了超支化二茂铁基有机硅基共聚物,其中M70作为如单体参与反应,见图10。

但是如一B。单体对法制备超支化聚合物时容易的如-B,单体对法即A2一B’B川单体对法来制备HBOSP。其中B’B川单体中B’和B官能团性质相

近,均能与A官能团发生同一反应,但B’的反应活

形成凝胶,为得到可溶聚合物需要将反应控制在凝胶点以下,较难控制。因此,有研究者提出利用改进

性比B高,如和B’B川单体在摩尔比为1:1情况下

发生发应时首先倾向于生成B,一。(AB’)(AB’)B,一。和

A(AB’)B川中间体。前者可以作为核分子参与反应,后者作为AB川单体可以进一步反应生成超支

第2/3期张国彬等超支化有机硅基聚合物

・33l

(Ho’28艾nC

B(0H)2

s橱丑

6H1/\”c6H13

M61.a=lM62.a=2

m垆鼢Bt刚:

B嘎

M63.a=2:M64,a=3

MgBr

(≥B母nC6H13-"、nC6H13护喇I‘

M66。6=0:M67,b=l

伞一i

/Cl

即5。弋智

鬯刈瓣M75巍C16H3和3:衢M76:’藿辫C18H37

….

R-”

,R=”

图lO如.B,单体对法制备HBOSP用单体‘”—”1

Fig.10

Monomers

for

syntheses

of

HBOSP

via

A2-

B,monomerspair

method【””】

化聚合物,从而避免凝胶发生,见图1l。

BJ.1厂—————————]

1moI

B,1一B'A-AB’一B。1

A-AB’。Bpl

hyperbranchedpolymer

图11

A2和B’B,一。单体相互反应示意图m’45】

FrO.11

Reaction

procedures

of

A2

and

B’B,.1

mono-

Ⅱ地一“t”】

例如王生杰等Ⅲ’451设计合成了两种A2单体双(二甲基硅氧基)二甲基硅烷(M77)和四甲基二硅氧烷(M78)以及B’B’单体甲基乙烯基二烯丙基硅烷(M79)和B’&单体乙烯基三烯丙基硅烷(M80),并

通过如-B7B:或如.B’B3单体对法制备了超支化聚硅氧烷,见图12。以M77和M80反应(A2.B’B3)为例:由于乙烯基参与硅氢加成反应的活性较烯丙基

高,因此在室温下15rain内乙烯基与si—H键先发

生反应生成AB,中间单体,然后升温时该中间单体

上的烯丙基与Si--H键再继续反应生成超支化聚硅

氧烷,从而避免了凝胶发生。

)st\o/O--s:SI-一H叫一H毒tC…∈

M77

M78

M79

M80

图12

A2和B'B,一。单体的结构m矧

Fig.12

StructuresofA2

andB'B,.1monomers[“,“1

利用A2.B,或A2一B’B;一。单体对法制备的HBOSP的聚合物参数见表4。

表4

A2.B,(如.B’B,一。)单体对法制备的HBOSP参数

Table4

ParametersofHBOSP

via如一B,orA2-B’B,一lmonomers

pairmethod

2.3加核法(B,一AB。)制备HBOSP

在核分子Bf(Bf为多官能度小分子或者聚合

物)的存在下,利用AB。单体与之共聚合可以调控超支化聚合物的分子量和支化结构,得到具有不同分子形态的超支化聚合物,见图13。Kong等u刊以含有3个双键的含硼单体(C1)为核,以M19为增长单元制备了以硼为核的超支化聚硅氧烷PCI.19。田威等Ⅲ1以1,2.双(甲基二烯丙基硅基)乙烷(c2)为

化学进展

裹5

第20卷

核,在单体M28和核分子不同的摩尔比条件下进行聚合,制备了一系列不同分子量的支化结构更加完善的超支化聚碳硅烷PC2.28。不仅多官能度小分

B,.AB,法制备的HBOSP参数

MacromolecularparametersofHBOSPsynthesizedviaB,,

Table5

B恤卜1+弋∈…P

C1

M19

C2

M28

AB.monomerspairmethod

HBOSP

reactioncondition

M。

16

M,i

300

Mn

PCI.19【19】H2etck/35℃/20h

PC2.28[46】H2FtCl6/506C

PC3.29【”】

Karstedt’s

700一22

2.30--3.21

4300---754700

)∽C+哆<3啪sP

catalyst/70℃69.1k—100.9k

3000

1.77—2.941.04一1.25一1.26—2.2l

pCA-81[50】

140℃/MeO(CH2CH20)2Me

I'81.COM[so]catalyst/90aC/4h

530一钙870

圈13B,.AB;单体对法制备HBOSPf院4””1

FIg.13

Syntheses

of

HBOSP

Via

B,一AB,monomers

pair

metIlod(19,“。】

子可以作为核,(超支化)聚合物本身也可以作为核分子。如Macros等【圳利用苯乙烯.丁二烯嵌段共聚物(C3)为核分子,缓慢滴加单体M29制备了线性.超支化共聚物PC3.29。Kim等㈨’用超支化聚合物P20作为核分子,通过交替与氢三氯硅烷发生硅氢加成反应和与烯丙醇发生醇解反应,制备了以超支化大分子为核的二代“树枝状”聚硅氧烷I)20.G2。类似地,他们Ⅲ1还以P30为核合成了二代“树枝状”聚碳硅烷P30.G2。

不管是AB,单体法、如.B,或如.B’B,一。单体对法和B,.AB。法,都属于“发散法”,即聚合物分子都是从内向外生长。Lath等㈨潮1利用“收敛法”制备了两种HBOSP:首先合成了每个分子中只含有一个唑啉基团的超支化聚碳硅烷大单体M81,以此大单体与核分子均苯三甲酸(c4)反应生成了硅基三臂星型一超支化嵌段共聚物PCA一81;而且M81也可以与其它共聚单体(COM)发生唑啉环的开环共聚,生成线性.超支化嵌段共聚物P81.COM,见图13。这些聚合物的参数见表5。

Pt/I-lSiCl3+一

3.86

CH2CHCH20H

11

2653.86

CH2CHCH2

MgBr

也有研究者用其他一些方法制备了HBOSP。-=--,R—皇

M83:胎电sl弋≯

M84:R-

嚣船№舡招

懈:舡电s眵

圈14

超支化聚亚琴萋囔咯和聚硅基亚幂基的

合成‘玑2】

Fig.14

SyIltlle8∞ofhyperbranchedpolyphenylenesiloleneand

polyphenylenesilenes【“・“】

HBOSP分子量及支化度调控研究进展

相对于多步法合成的具有完美结构的树枝状聚

P20-G1[20】

1'30.GI【罅】Pt—C/MeHSiCl2+

2.4其他方法制备HBOSP

如Tang等b1’521通过TaCls.Ph。Sn催化含硅二炔化合物M82--M87发生三聚环化反应聚合生成了系列超支化聚亚苯基噻咯(polyphenylenesilolene)P82和聚硅基亚苯基P83--P87,见图14。Weber等b3渤1通过超强碱PI.t.Bu催化环三硅氧烷M88和M89发生质子转移聚合生成了目前唯一的超支化结构的聚二甲基硅氧烷(PDMS),见图15。

第213期张国彬等超支化有机硅基聚合物

M89

图15超支化聚二甲基硅氧烷的合成[53,54】

魄.15

Syntheses

of

hyperbranched

polydimethylsi—

lox姗(53.圳

合物(dendrimer),通过一步法制备的超支化聚合物存在分子量分布宽、支化结构不完善等缺点。为了控制超支化聚合物的分子结构和形态,研究者们研究了各种聚合方法和反应条件对其分子量和分布以及支化度的影响规律。

表6其它方法制备的HBOSP参数

Table6

Macromolecularparameters

ofHBOSPsynthesizedvia

othersmethods

Miravet等u刮通过对分别为AB:、AB4和AB6型单体的M6、M7和M8在相同条件下聚合的对比研究得出位阻效应对聚合并无明显影响的结论,而且向聚合物中继续滴加单体对提高分子量的作用很小,聚合中均存在明显的分子内成环反应。Gong等¨副以M6为对象详细研究了分子内成环反应对聚合物分子量的影响,得出以下结论:由于分子内成环反应消耗了单体和齐聚物中的A官能团,因此一步法制备的超支化聚硅氧烷具有较低的分子量和产率。基于此,作者提出了几种限制环化反应以提高聚合物分子量和产率的措施:(1)单体缓慢滴加法,能够显著提高其分子量和产率(最高肘。达86

000s/

m01),而且随着滴加速度的降低和投料量的增加,肘。及M。/M。也增加;(2)种子聚合,利用低分散多

官能度的核分子可以显著降低聚合物的分子量分布系数,这也与Kong【l训及田威等№1的结论一致。Drohmann等∞1对M27--M30分别在不同条件下所得聚合物分子量的对比研究得出以下结论:催化剂种类和用量、反应温度、单体结构和浓度等都对聚合物分子量有显著的影响;低的反应温度和催化剂用量可以抑制重排反应发生,从而避免凝胶;当单体中Si—H键和双键间隔距离较远时可以抑制重排反应避免凝胶发生;向聚合物P29中添加新单体可以有

控制地提高分子量。这些研究结论为我们提供了调控超支化聚合物分子量及其分布的参考。

一步法制备的超支化聚合物其支化结构是随机的,因此在一步法中无法控制其DB。Lach等惭1发明了一种对超支化聚合物进行端基改性以提高其

DB的方法:超支化聚碳硅烷P30(DB=0.48,平均支化数ANB=0.46)先与HSiCl3发生硅氢加成反应,将末端双键转化为si—Cl键,然后再与烯丙基溴格氏试剂反应生成DB高达0.92、ANB高达1.58的聚合物。这种方法的基本原理就是减少超支化大分子中的线性和半树枝状单元,增加树枝状单元(图16)。这种方法对所有超支化聚合物的支化度控制和提高均有借鉴意义。

A%一素BB骂

图16通过端基改性提高支化度的原理示意图㈨

Fig.16

General

concept

forenhancementofDB

byterminal

modification[”】

Tarabukina等D"通过光散射、沉降仪、黏度测定等研究了超支化聚碳硅烷P28在正己烷溶液中的流体力学和构象性质。这种超支化大分子在溶液中的分子不对称系数P≤1.5,其溶液行为迥异于典型的线性(无规线团)和树枝状聚合物(球状大分子),呈现一种独特的“紧凑结构”(compactstructure),M。为

75

0009/mol的窄分子量分布的聚合物其流体力学半

径仅在4nm以下。

HBOSP的端基功能化改性和应用研究

进展

4.1耐热材料和陶瓷前驱体

有机硅聚合物具有优异的耐热性能,因此超支

化・学进展

第20卷

化聚硅氧烷和聚碳硅烷可以作为耐热橡胶材料;同时由于其具有较低的黏度,易于浸渍纤维,也非常适宜于作为陶瓷基复合材料的粘接剂,先用普通聚合物的成型方法成型然后裂解形成硅基陶瓷。

为了进一步提高HBOSP的耐热性,可以向体系中引入受热可以反应的炔基。Son等m’篮1合成了系列含有炔基的超支化聚硅氧烷P24一P26和聚碳硅烷P34,并考察了其耐热性:聚合物P24一P26的玻璃化转变温度(T。)由于受甲基取代基和空间位阻效应的影响差别很大,从一73℃至560C;由于受热时炔基可以进一步反应,3种聚合物灼烧至1

300%

后残留率较高,分别为63%、50%和30%;P34的DSC曲线上在246℃处出现一个很强的放热峰,证明了受热时炔基可以反应;尤其值得注意的是其热稳定性非常好,在空气中和N,气中灼烧至13000C后残留率分别为62%和87%,这类聚合物有望作为SiC或者Si/O/C陶瓷前驱体。

提高聚合物热稳定性的另一个途径是引入芳环。“u等[38-4¨通过A2一B4单体对法合成的含有大量苯环的超支化聚碳硅烷具有较好的热稳定性,其5%热失重温度约在350--450。C。Tang等bk圳合成的超支化聚碳硅烷P82--P87由于整个体系均由共轭的苯环或噻咯与Si交替连接组成,因此其热稳定性很好,其5%热失重温度约在350—595oC,800℃裂解后残留率可达86%。

Kwak等协驯合成的超支化聚碳硅烷1)35和P36由于既含有炔基又含有苯环,因此热稳定性更加优异,在N:和空气中初始热分解温度分别达到500℃和160℃,加热至900℃时残留率分别为91%和75%。Interrante等∞’制备了外端全部为Si--H基团的超支化聚碳硅烷P37.Sill,这种聚合物由于含c量低,Si/C接近l,预期可以作为制备SiC陶瓷的近化

学计量前驱体,裂解后可以得到较高的陶瓷产率。他们还利用与P37结构类似的侧基为烷氧基的HBOSP通过溶胶凝胶法制备了Si/O/C陶瓷。笔者制备的超支化聚碳硅氮烷可以分别在氨气或者氮气中裂解为si,N4或者SiC/Si,N4复合陶瓷,有望作为无氧陶瓷前驱体㈨’3引。众所周知,在硅基陶瓷中引入B、越等元素可以显著提高其耐热性能。Kong等n引将B元素引入超支化聚硅氧烷中,对聚合物的TGA研究表明,B元素的引入可以明显提高裂解后的陶瓷产率。

Tang等№∞1合成了系列含Fe的超支化硅基聚

合物,对其裂解研究表明:这些聚合物在~400%时几乎没有失重,在700—1200℃惰性气体中可以裂解形成纳米级的铁磁性陶瓷;如P70.71在1000—

200℃煅烧后形成具有中空结构可导电的纳米铁

磁性陶瓷;在M气中裂解,产物中其纳米晶主要是

口.Fe203,而在Ar气中裂解主要是飚Si,后者具有高

的顺磁性(约51emu/g)以及接近于零的剩磁和矫顽磁力,因此具有高的磁化率和近于零的滞后损失,是一种很有应用潜力的软磁铁材料。4.2催化剂载体

有机硅聚合物通常具有较好的化学稳定性以及与其它有机物良好的相容性。超支化聚合物外端通常存在大量官能团,因此HBOSP非常适宜于通过化学键负载催化剂分子,这些催化剂分子大部分处于聚合物表面,可以作为有机反应均相催化剂。

Schlsgl等¨副以超支化聚碳硅烷P29为载体,通过硼氢化反应接枝上了大量双(五氟苯基)硼基,并以此作为锆金属茂合物催化丙烯聚合的共催化剂,见图17。通过与不使用共催化剂和使用小分子共催化剂催化体系的对比研究表明:聚合物负载的共催化体系具有较高的催化活性,所得聚丙烯分子量也较高。Schlenk等旧。以超支化聚碳硅烷P30为载体,通过端基改性使之负载上了钯.间苯二胺配合体(见图17),并将之用于催化苯甲酸和甲基异氰基乙酸酯的醇醛缩合反应,结果表明,超支化大分子催化剂具有和小分子Pd催化剂相似的催化活性,而且可以催化连续膜反应。

甜。坐叩B(c6F5)1

P29

、P29-B

/X

c炉)y型唑

end

OTf}.

P30

Fr30-Pd

图17

超支化聚碳硅烷负载的大分子催化剂的

制备【‰圳

Fjg.17

Syntheses

of

macromolecular

catalysts

商lIg

hyperbranehed

polycarbosilanes∞carriers【”驯

常见的用于制备有机电致发光二极管的聚合物是由芴、咔唑、噻吩和对苯乙炔撑等的衍生物组成的。芴聚合物是其中最常见的蓝光发光材料,但是聚芴在固态时(一般为膜,下同)由于严重的自聚集现象造成光谱发生红移、光色不纯和发光效率降低

4.3电致发光和光学特性聚合物

第213期张国彬等超支化有机硅基聚合物

等问题,因此研究者们提出引入超支化结构来抑制自聚集现象,同时引入si原子以形成a-/t"键来削弱其/t'-/t"大共轭体系,试图提高其发光纯度和效率。如“u等b8’圳合成的主链由芴和Si交替连接组成的超支化聚碳硅烷P60.61和P60.62都是很好的蓝光发光聚合物。由于si原子的四面体成键形态以及超支化结构抑制了自聚集现象,其分子内和分子间芴的相互作用很弱,抑制了激子迁移造成的红移现象。因此其在固态和THF溶液中二者都能高效地发出蓝光,其光致发光量子效率分别为38%一82%和73%一99%。他们还利用聚合物P60.62制备了一种“三明治”式的聚合物发光二极管(PLED),这种二极管可以发出明亮的蓝光,最大波长为415nm,外部量子效率为0.06Cd/A,驱动电压为6.0V。

“u等b州还合成了分子中同时存在芴和噻吩两种生色基团的HBOSP:其中P63.62、P64—62、P66.62和P67—62可以分别发出蓝至红光,且随着共轭长度的增加,发光光谱红移也越明显;P60—65在固态和溶液中均可高效地发出蓝光;P66.65在溶液中只表现出芴的光谱,发出强烈的蓝光,而在固态时两种生色基团的光谱都表现出来因此发出绿光;由P60.65和P66.62制成的PLED可以分别发出蓝光和绿光。

nu等㈨川还制备了同时含有芴和咔唑的

HBOSP

P68.69,并与其它不含硅的线性芴和咔唑共

聚物或者小分子硅基芴和咔唑共聚物进行了对比研究。结果表明:由于si原子的引入抑制了自聚集,因而浓度猝灭现象不明显,从而降低了红移,提高了发光纯度和量子产率;超支化结构的引入也起到了类似的作用。

Kwak等Ⅲ瑚3也合成了超支化聚碳硅烷P35和P36。由于其分子内的三维ff-rr共轭造成在其uV—vis谱上出现独特的if-R"电荷转移吸收(>300nm)。当在这个波长范围内进行激发,这些聚合物可以发出很强的肉眼可见的蓝光。Son等¨21也合成了4种存在类似三维伊7r共轭的超支化聚硅基噻吩P44.R,也出现了从噻吩到si的电荷转移吸收(300—

320nm)。

Tang等bk剐合成的超支化聚亚苯基噻咯P82和聚硅基亚苯基P83--P87。由于整个分子均是共轭体系,因此该聚合物在可见光区均有强的吸收(A一一.520nm),而且具有非线性光学活性。它们可以显著地削弱激光脉冲,其光限幅性能要优于著名的光限幅材料c∞,而且当其溶液温度降低时,其光致发光性能可以显著地提高,表现出独特的“冷致发光增

强(cooling.eIlll粕cedemission)”现象。4.4可紫外光固化HBOSP

本课题组在可紫外光(uv)固化的超支化聚硅氧烷方面进行了系列研究。Si等n71合成的聚合物P9和P10端基为双键,因此在自由基型光引发剂存在下可以直接Uv引发固化。聚合物P11端基为Si—H键,作者通过与甲基丙烯酸缩水甘油酯

(glycidylmethacrylate,GMA)发生硅氢加成反应使其

端基转化为环氧基(聚合物P11-GMA),从而在阳离子引发剂存在下也可以实现uv固化,见图18。对其固化性能研究发现气氛(N:气或空气)和光促进剂可以显著地影响双键和环氧基的转化率。si

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P11-ACl85

R=

卜卫。廿

图18超支化聚硅氧烷PII的端基改性Ⅲ,刚

Fig.18Terminal

modification

ofhyperbranchedpolysiloxane

P11t17t”】

等旧1还对Pll进行端基改性制备了3种大分子光引发剂P11-ACll73、P11-ACl84和P11.ACl85,并考察了大分子光引发剂对环氧丙烯酸酯树脂光固化的引发性能,发现大分子光引发剂不仅具有比小分子光引发剂更高的引发效率,而且固化产物的热稳定性也得到明显提高。

笔者D73通过如.B3单体对法合成的超支化聚硅氧烷P59—56,由于含有大量甲基丙烯酰基团,因此可以实现快速Uv固化。对其光固化的动力学研究表明:固化速度和双键最终转化率受引发剂用量、光强度和温度的强烈影响并存在一定的规律;聚合物光固化反应的反应总级数约为3,表观活化能为16.9kJ/mol。Wang等Ⅲ弗1也对其合成的可UV固化的超支化聚硅氧烷P77.79、P77—80、P78—79和P78—80的固化性能进行了研究,得到了类似的结论。4.5其他端基功能化改性及其应用

Gong等哺¨利用聚合物P6通过端基改性制备了端基分别为环氧基、氨基和羟基的P6-epoxy、P6-N心

化学进展第20卷

和1'6.OH以及端基为长链烷烃或线性聚合物的星形接枝聚合物P6一C18、P6.PIBl、P6.PIB2和P6.PEO,见图19。通过对比研究发现:较之环氧改性的线性聚硅氧烷,超支化结构的P6一epoxy不仅具有较低的黏度以及和胺类固化剂较好的相容性,而且具有较好的粘接性能,因此非常适合用作底部填充胶;氨基和羟基改性的P6.N心和P6.OH也可以作为环氧树脂、聚亚氨酯树脂和聚酯树脂的固化剂和改性剂等;4种星形共聚物由于内部超支化聚硅氧烷核与外部所接枝臂性能的不同造成聚合物具有独特的性能,如P6一PEO由于具有憎水的超支化硅氧烷核和亲水的聚乙二醇臂,因此表现出独特的水油两亲性。

(Ⅺ∽盂未阱:l

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Pe-PEo舡S}儿。书№一cH厂—咿带

图19超支化聚硅氧烷P6的端基改性‘矾1

Fig.19Terminal

modificationofhyperbranchedpolysiloxane

P6[6I】

Kim掣例先利用聚合物P30与HMeSiCl2反应

将端基转化为Si—Cl键,然后利用Si—Cl键分别与3种锂化物或胆固醇反应生成了不同端基的P30.NH2、P30.PA、I"30.B"ISA和P30.Chol,见图20。

Kakimoto等¨纠将聚合物P5通过硅氢加成反应接枝上了笼型倍半硅氧烷(polyhedral

oligomeric

silsesquioxane,ross),并通过控制单Si—H官能度POSS的投料量控制接枝程度,见图2l。有趣的是,虽然超支化聚合物一般都是无定形的,但这种POSS封端的超支化聚硅氧烷却具有结晶能力,并且随着POSS基团的增加,结晶度也增加,熔点也相应升高,这为制备可结晶超支化聚合物提出了一个思路。Kakimoto等¨引还将聚合物P15端基改性为溴代异丁基作为大分子引发剂,然后通过原子转移自由基聚合方法接枝上聚(Ⅳ.异丙基丙烯酰胺)(poly(Ⅳ.

万 

方数据dP3n0半斜恃2r卫掣P30-R

jr

P30-NH2

P30-PA

R.=邮

R・=Li-NH2舡s№

娜}-N£

P30-Chol胙似岱沁

黔s卜嗡、

图加超支化聚碳硅烷P30的端基改性m1

Fig.20

Terminal

modification

of

hyperbranched

polycarbosilaneP30【”】

isopropylacrylamide),PIPAAm),见图2l。P5-PIPAAm共聚物的最低临界相变温度为34℃,即在34。C以下时易溶于水,在34。C以上时因发生相转变其水溶液

PS-PIPA,am-immobilizedsilica

图2l超支化聚硅氧烷P5的端基改性n‘朋1

rig.21Terminalmodificationof

hyperbranchedpolysiloxane

p5t“-1耵

变浑浊,且这种现象具有可逆性。这种性质正好满足温度响应型高效液相色谱(HPLC)所需的可逆热性能。作者将这种共聚物固定在Si02微珠上,用这种微珠作为温度响应型HPLC的装柱填料,并用它将亲水和亲油性胆固醇从混合物中成功地分离开。

田威等Ⅲo用与Kakimoto类似的方法将超支化聚碳硅烷P28外端接枝上了线性聚合物聚(甲基丙烯酸.Ⅳ,Ⅳ.二甲胺基乙酯)(poly(Ⅳ,N—dimethyl

aminoethyl

methacrylate),PDMA),并通过亲电反应将

卢.环糊精(p.CD)固载到PDMA链段上。这种负载p—CD的接枝共聚物不仅具有超支化结构和p.CD带

第2/3期张国彬等超支化有机硅基聚合物

・337・

来的大量空腔,可以包合小分子客体,而且PDMA链段具有温度和pH值双重敏感性,因此可以通过调

整温度或者pH值对小分子客体进行控制释放。

5结束语

本文从制备、分子形态调控以及端基改性和应用3个方面较为系统地总结了近年来超支化有机硅

基聚合物的研究进展。该类聚合物的制备方法已经有较多研究,其中A2一B,或A2.B’B,一。单体对法由于具有原料易得和可以调控分子量等优点值得深入研究和推广应用。通过多种制备方法,各种结构的HBOSP已经被设计合成出来,但是有关其分子形态(分子量及其分布、支化度及其在溶液中的构象及流体力学性质等)调控的研究还处于起步和发展阶段,很不成熟,现有的一些结论甚至相互矛盾,因此今后这方面的基础理论研究应该加强。鉴于该类聚合物广阔的应用前景,其功能化改性研究应该进一步加强,尤其是功能性端基改性与线性聚合物接枝共聚的研究面应拓宽,并深入研究其功能性和超支化结构以及硅基聚合物本身的关系等基础理论。有关其实际应用也有可能得到扩展,尤其是在发光聚合物、催化剂载体和可uV固化材料等方面相信将有更广阔的应用。

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第20卷

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第20卷第2/3期2008年3月

化学进展

V01.20No.2/3

Mar.,2008

PROGRESSINCHEMISTRY

超支化有机硅基聚合物*

张国彬1

范晓东卜。

杰1

刘郁杨1解云川I

(1.西北X-业大学理学院应用化学系摘

西安710072;2.西安交通大学理学院应用化学系西安710049)

超支化有机硅基聚合物(HBOSP)是一类新型功能性半有机半无机聚合物,在催化剂载体、陶瓷

前驱体、发光材料和耐热材料等领域都有非常广阔的应用前景。本文概述了近10年来利用AB,、A2.B。或

A2一B7B;一。以及B,.AB。型单体制备新型结构HBOSP的进展,以及对这类聚合物的分子量及其分布和支化度

调控的研究进展;着重总结了近年来针对该类聚合物的端基功能化改性及其应用情况,并在此基础上展望了该类聚合物的研究趋势。

关键词

超支化有机硅基聚合物

分子量分布

支化度

端基改性

中图分类号:0634.4+1

文献标识码:A

文章编号:1005.28lX(2008)02/3.0326.13

HyperbranchedOrganosiliconPolymers

ZhangGuobinlFanXiaodong¨’

Kong此1

LiuYuyan91

Xie

Yunchuan2

(1.DepartmentofAppliedChemistry,SchoolofScience,NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xi’an710072,China;

2.DepartmentofAppliedChemistry,SchoolofScience,Xi7anJiaotongUniversity,Xi’all710049,China)

Abstract

great

Hyperbmnchedorganosiliconpolymers(HBOSP),anewkindoffunctional

to

semi・organic

polymers

are

of

potentialbe印pliedincatalyst

carriers,ceramic

reeent

precursors,electroluminescent

polymers,heat—resistant

elastomers,etc.Inthispaper,newmethodsin10yearsforsynthesesofHBOSPfromnewmonomers,including

B/一AB。monomerspair,aresummarized.Particularly,the

its

AB,monomer,如一B,or

researchprogress

on

A2-B’B,.1

monomerspairand

regulationofmacromolecularweightand

on

distribution

as

wellwell

as

degreeofbranching.arecorresponding

applications.

discussed.TheemphasisisalsoputFinally.newresearchtrends

Keywordsmodification

are

theirterminalfunctionalmodifications

on

asa8

reviewedbased

theprogressofHBOSP.

hyperbranchedorganosiliconpolymers;molecularweightdistribution;degreeofbranching;terminal

引言

超支化聚合物由于其新奇独特的大分子结构和

有机硅氧烷和聚有机碳硅氮烷等。超支化有机硅基聚合物由于兼具了有机硅聚合物和超支化结构带来的优良性能,自1991年Mathias拉1首次报道了超支化聚有机硅氧烷以来,对这类聚合物的设计与合成就引起了研究者们极大的兴趣。目前已经有大量此类聚合物被设计、合成,并经过功能化改性被应用于催化剂载体、陶瓷前驱体和发光材料等诸多方面。其功能和应用领域不断拓宽,有关其研究进展情况已经在一些综述性文章中有部分涉及¨-51,但都不全

较低的熔融黏度以及多官能性和易于制备等特点成为近20年来高分子领域的一个研究热点…。其中超支化有机硅基聚合物(hyperbranched

organosilicon

polymers,HBOSP)是主链由硅、碳、氧和氮等元素组成,侧基为有机基团的高度支化的聚合物。按照主链组成元素的不同,可分为超支化聚有机碳硅烷、聚

收稿:2007年4月,收修改稿:2007年6月

*西北工业大学科技创新基金项目(No.M450211)和陕西省自然科学基金项目(No.2006m5)资助*-'k通讯联系人e-mail:xfand@126.com,zgbshamu@126.tom

第2/3期张国彬等超支化有机硅基聚合物

面且不能反映其近期的研究现状。因此本文在比较系统总结文献和整理本课题组工作的基础上,主要针对近lO年来有关HBOSP的合成与制备新方法、新结构及其改性和应用的最新研究情况进行了评述,并展望了今后有关该类聚合物研究的发展趋势和应该着力加强的研究方向。

2.1

=-s芟H什s‘《}2=,—t《H

7IiI≥;≤夕t<H≥一≤夕芝

卟9.F一F噶9r≈o\

.,sI、

HBOSP的分子设计、合成

AB。单体自缩聚法制备HBOSP

HBOSP主要是利用AB,单体(省≥2)的自缩聚

反应来制备。其中硅氢加成反应由于反应活性高和不易受干扰等特点成为制备此类聚合物最常用的反应。研究得最早、最多的HBOSP是超支化聚硅氧烷,其主链由si和0或Si、0和C元素组成。Mathias和Carothers幢1最先报道了利用AB,型单体Ml通过硅氢加成合成主链为Si—O—si—C的超支化聚硅氧烷P1,其单体和聚合物的结构如图1

所示。

I£_[罩=rj=rq≮’g~/

卞‘}A㈡投pH

H>;≤#≯t≤#夕t≤芒:

刮sH—z—c寸淼会

b净繁Six』八荽-,/

N,‘一

一H

图2

八H

制备主链为Si一伊一Si—C超支化聚硅氧烷用单

体[7.sA”m”1

Fig.2with

Monomersforsynthesesofhyperbranehedpolysiloxanes

mainchain(7.8A2--17,”】

Si—o—Si—C

一个A官能团的多氯硅烷和只含一个B官能团的单氯硅烷在控制条件下进行共水解缩合合成,这种方法步骤繁琐而且由于无法避免副反应(氯硅烷的自身缩合),因而产率很低。M7和Mg分别是由乙烯基二(三)氯硅烷与中间体双(二甲基硅氧基)甲基羟基硅烷缩合生成,但是该中间体的合成产率很低且不太稳定,造成M7和M8的合成也较为困难。因此利用含有可以相互反应的不同官能团的两种硅烷简单定向地缩合制备所需单体可以简化合成步骤,

圈1

Fig.1

Mathias合成的单体及其超支化聚合物‘21

Scheme

representation

of

monomer

and

its

提高单体产率。例如Vasilenko等№1利用(HMe吃SiO):(Me)SiO(Me2)Si(CH2)2(Me2)SiCl与vi(Me2SiO)。Li

hyperbranehedpolymersynthesizedbyMathias【2】

发生亲核取代反应(Si—O—u和Si—Cl键反应)制

备了单体M12;类似地,Oishi等n1利用ViPhNpSiOLi与HMeSiCl2反应制备了单体M13;王欣等¨1通过非

用于制备超支化聚硅氧烷的其它AB。单体M2一M15见图2。Ml—M6和M9一M11是通过只含

7lMtEO-...露S

・328・

学进展

第20卷

水解法,即三氯化铁催化含双键的三烷氧基硅烷和含SigH的单氯硅烷发生缩合高产率地制备了3种AB,型单体M2、M14和M15。

与M1类似,单体M2一M15都可以通过铂催化的硅氢加成反应聚合生成相应的超支化聚合物P2一P15,其大分子结构也与Pl类似。

Muzafarov等阳’1们合成两种AB,型超支化单体

M16和M17,这两种单体通过si—OH或Si—OCOCH3与乙氧基发生缩聚反应生成主链为Si—

Oqi链节、端基为乙氧基的超支化聚硅氧烷

(图3)。

HO・Si(OEt)3:竺竺.

M16

NH3

、。l\

吼…剐嘶等H。曼EtO137℃

H.

CCOO""O擎Et

.殳i/。了’

E准。一s吒/...-OEt

图3

主链为Si一0一si的超支化聚硅氧烷的制备帆’01

rig・3

Syntheses

of

hyperbranched

polysiloxane.s

with

si—O—Si

mainchain[9,10】

上述单体的合成均较为复杂,因此研究者转而寻求其他更方便地合成硅氧烷单体的方法。其中最常用的是通过氯硅烷与烯醇或者炔醇发生脱HCI缩合反应合成由Si一0一C组成的单体M18--M26(图4)。这些单体通过硅氢加成生成相应主链为si—

O—C的超支化聚硅氧烷P18一P26。这类单体的合

成非常方便,并且由于si—O—c键易水解,所得聚

合物具有可降解性,有望应用于分子模板和酶模拟等领域¨引o

P1一P26的重均分子量(肘。)及分子量分布系

数(M./M。)和支化度(degree

of

branching,DB,主要

通过NMR定量分析计算得到)的数值列于表1。从表1可知,相对于普通线性聚合物,一步法制备的超支化聚合物分子量通常较小且分子量分布较宽,难以控制,其典型数值为肘.约为5

00卜20

000S/moli

M。/M。约为2—5;DB值和理论值¨¨较为接近,说明这些聚合物的确呈现超支化结构。

≥;龆

H、/o—∥5

,s‘<、,、

u——\==

M19

o¨

H、st<吕:三¨

M21

¨

》<。o\_/--㈣o-c

ll

¨

OM23

/_/

≤享

/o≮一

。b≯二

M25

M26

图4

制备主链为si一沪C的超支化聚硅氧烷用单

体‘1”纠

飚.4

Monomersforsynthesesofhyperbranchedpolysiloxanes

wim

Si—o—C

mainchain[18—22】

表1用AB,单体合成的超支化聚硅氧烷的参数

Table1

Pammetemofhyperbranchedpolygiloxanes

synthesized

fromAB#monomers

HBOsPre.actionconditionM。‘

M√J】Ifn‘DB

P1

L2J

H2PtCl6/52℃/8h19000

一一

p2[12J

Pt—C

or

H2

Ptcl6,22—5200一14

600

1.8—4.9一100℃

p3[12]

㈣∞p2

50伊一12500

1.5--2.6一P4【…Pt—C/refluxin

hexane/4h

10500一

p5[14・15】

Kamtedt’8catalyst

93002.0一P6Ll“Pt.C/50℃/2--3

58001.7

一P7L16Jsme∞P6

89002.6——p8L”J

目llne∞P6

6500

2.2

p9117・21】Pt.C/500C/3--4h

9980——0.53P10[17,21]Ⅷ"∞P9

13200一0.47P11[17,21]∞m∞P9

8600

一0.42

P13[7】

Karstedt’scatalyst/600C/4320

2.1

0.43

6h+80℃/6h

P14[s]

Karstedt’scatalyst/60。C

12060

4.82P15[83H2nC】6,60℃

6858

2.74P16[9・to]

—30℃/lh+r.t./ore-≈8000

却4.0

might

P17[911370C,6-一33h

lOo_一2

2∞k

O.3—由.44

P18[1s]

}kPtck,1.5hor

一10k

Coz(co)8/25h

P19Ira]H2PtCl6/70℃/Sh102003.33

p.20120]H2PtCts/r.t.,24h—

3.66

P21[2l】H2PtCh,/800C,一4h

13240P22[21]

sBIIle

as

1>21

14230p23TM]

8agile∞P2l13890I>24[zz]n.C,90℃/1.75h2]60b1.94p25

Cm]

PI-C,90℃/2h7mob

2.12p26[221

Pt-C,90℃/3h

600‘

2.57

(a)all

thedata

amdetermined

byBi∞exclusionchromatogram(SEC)

technology;(b)thesemMnvaluesdeterminedbyvaporpressureosmometry

(VPO)technology

第213期

张国彬等超支化有机硅基聚合物

除了超支化聚硅氧烷,另一类研究得较多的HBOSP是超支化聚碳硅烷,其主链上只含有Si和C。图5列出了用于制备超支化聚碳硅烷的单体

H高∈H毒cH毒∞喾悯;∈

址s巳毡s当

脚£申下删

吣--轴Si一一H

图5用于制备超支化聚碳硅烷的单体∞一圳

F培.5

Monomers

for

syntheses

of

hyperbranched

polycadxⅪilancs【”一”】

M27一M38。这些单体主要是利用氯硅烷与相应的有机金属试剂(格氏试剂或有机锂试剂等)发生亲核取代反应来制备,如M28是通过MeHSiCl:与烯丙基氯格氏试剂反应生成心引;M36通过MeHSiCl2与对苯乙炔基锂反应生成㈨1。单体M27--M36通过硅氢加成反应生成超支化聚合物P27--P36;而M37∞1和M38胁1是潜在的AB,和AB:型单体,需要与镁反应

转变为格氏试剂RMgCl后再与Si—Cl键发生亲核

取代反应生成端基为Si—cl键的超支化聚合物,然后再用LiAIH4将其还原为端基为Si—H键的稳定聚合物,反应过程见图6。这些超支化聚碳硅烷的参数列于表2。

除了超支化聚硅氧烷和聚碳硅烷,AB。单体法还可以制备主链含有N和S等杂元素的HBOSP,所用单体见图7。如笔者啪J¨通过氯硅烷胺解或者与锂化二硅氮烷的亲核取代反应合成了由Si—N—C

或者Si—N—Si链接组成的AB4或AB:型单体

M39--M43。这些单体可以通过硅氢加成反应生成相应的超支化聚碳硅氮烷P39--P43,例如聚合物P42的结构如图8所示。Son等旧1先将潜在的A取单体M44与Mg反应生成格氏试剂(AB,单体),然后格氏试剂原位与烷氧基反应生成超支化聚硅基噻吩,并通过端基改性制备了4种不同端基的稳定

c螂哟寺

/CI

CIMgCH2-9刍Cl

M37

H坪一&cb

cI毋_cH2一c‘翱一彳H2

\CIc13S卜-eH2

c‘3s卜_cH2一sicI_一cH2一争ic卜。cH2一s÷~V~

C13si——cH2——sicb——亡H2

C.H2

P37

CI毋一cH2一S℃12

H再一SiH3l

LiAIH4

H3s卜cH2一Hj—cH2

H3s卜cH2一Hsi一9H2

●H3Si'--'C

HaS卜-cH2一siH—cH2一争H—cH2一sp^~

H3Si_cH2一s州2一CH2

fH2

P37名iH

H3&——CH2——SiH2

图6亲核取代法制备超支化聚碳硅烷㈨

Fig.6

Syntheses

of

hyperbranched

polycarbosilanes

via

nucleophilicsubstitutionreaction【”】

Parametersofhyperbranchedpolycarbosilanessynthesized

AB。monomers

reactioncondition

J!If。M。/M。DB

8700

9.29

一Pt,20

or

40

or∞oC6.6—201.5k2.37—6.57一or

80℃

6.2一175.4k2.44—9.17

一n,20℃

I.卜一118.6kI.5—4.%

160002.840.42Pt/r.t./lh

75402.37

0.44

5550

2.16——

Karstedt’8catalyst/50。C/2720・一0

56

2h

RhCI(PPh3)3/NaI/80。C

700002.0一Rhl(PPh3)3/80%/2h

300005.5一Mg/Et20

5200

6.9

一坚型兰!zQ!!:!:!竺竺堂堂

竺!竺塑

am肘nvalII∞determined

by

vapor

pressure

osmomclry(VPO)

or

thiophene)。

除了AB。单体法,近年来有研究者利用如.B。

表2用AB,单体制备的超支化聚碳硅烷的参数

TablefromHBOSP

P,27123]pt2+/80%/5hP28[驯

P29【矧Pt/20

P30[”】

P3I【驯Pt/r.t./lh

P32[2"/J

P33[27]Pt/r.t./lh+46。C/18hP34[”】

P35[”】P36[“】P37【”】

旦!!竺!

technology

(a)these超支化聚合物P44.R(R=Me,Vi,Ph

他们b列还合成了单体M45~M52,这些单体通过硅氢加成反应聚合生成超支化聚硅基呋喃或者噻吩。这些聚合物的参数列于表3。

2.2如.B,(A2.B’B:一。)单体对法制备HBOSP

或赴.B’B川(菇≥3)单体对共缩合的方法制备

HBOSP。这种方法具有原料易得和可以通过控制二者投料比方便地调节分子量等优点,更适合于大规模生产和应用。例如Hall等mo利用己二酸二特丁酯M53为A2单体,含4个Si—cl键的硅烷M54

学进展

第20卷

3畔N∈’一挂f

H.S;_N∈m:i—N宝.≤/一、iy

㈣嘴・口一埝・・一弋x斥

M“

MM4465,,x=X=Os

ⅢM487.,X=X=sO

\蕊殄轱如

Me2SiC

Me忐i/2

r;一

呷冬◇.》

一:}一≯卜

一!卫一y8f汁≮、≯轳中号i毫.笋、¨欺、

7生s卜=

为B4单体通过缩合反应制备了超支化聚硅酯,见图9。此外,四乙氧基硅烷(M55)或三乙氧基硅烷(M57、M59)的水解反应或者与二官能度酸酐M58的酯交换反应也是Az.B3或A2.B4单体对方法‘35一川。

。裟

a扣a

a喈

—+

HBOSP

时S产i--O¨H20

即一.F+M弱薪勰g.‰岳v、s品L争向≮屯日

M55

声‘-of

0\Et

图9如.B;单体对法制备超支化聚硅氧烷Ⅲ】

rig.9

Syntlleses

of

hyperbranchedpolysiloxanes

viaA2一B,

monomem

pairme&od‘“】

“u等[3。_411通过如.B4方法制备了含有噻吩或

者咔唑基团的HBOSP,所用单体M60--M69见图lO。

其中左边为A2单体,右边为B4单体,相互之间发生Suzuki偶合反应或者通过格氏试剂发生亲核取代反应,同时消去含硼基团和溴基从而生成超支化聚碳硅烷,如聚合物P60—61(M60和M61反应产物,下同)、P60.62、P63.62、P64.62、P66.62、P67.62、P60.65、P66-65和P68.69。Tang等m’431通过如.B3方法,即利用二锂化二茂铁M70与三氯硅烷M71.M76发生亲核取代反应制备了超支化二茂铁基有机硅基共聚物,其中M70作为如单体参与反应,见图10。

但是如一B。单体对法制备超支化聚合物时容易的如-B,单体对法即A2一B’B川单体对法来制备HBOSP。其中B’B川单体中B’和B官能团性质相

近,均能与A官能团发生同一反应,但B’的反应活

形成凝胶,为得到可溶聚合物需要将反应控制在凝胶点以下,较难控制。因此,有研究者提出利用改进

性比B高,如和B’B川单体在摩尔比为1:1情况下

发生发应时首先倾向于生成B,一。(AB’)(AB’)B,一。和

A(AB’)B川中间体。前者可以作为核分子参与反应,后者作为AB川单体可以进一步反应生成超支

第2/3期张国彬等超支化有机硅基聚合物

・33l

(Ho’28艾nC

B(0H)2

s橱丑

6H1/\”c6H13

M61.a=lM62.a=2

m垆鼢Bt刚:

B嘎

M63.a=2:M64,a=3

MgBr

(≥B母nC6H13-"、nC6H13护喇I‘

M66。6=0:M67,b=l

伞一i

/Cl

即5。弋智

鬯刈瓣M75巍C16H3和3:衢M76:’藿辫C18H37

….

R-”

,R=”

图lO如.B,单体对法制备HBOSP用单体‘”—”1

Fig.10

Monomers

for

syntheses

of

HBOSP

via

A2-

B,monomerspair

method【””】

化聚合物,从而避免凝胶发生,见图1l。

BJ.1厂—————————]

1moI

B,1一B'A-AB’一B。1

A-AB’。Bpl

hyperbranchedpolymer

图11

A2和B’B,一。单体相互反应示意图m’45】

FrO.11

Reaction

procedures

of

A2

and

B’B,.1

mono-

Ⅱ地一“t”】

例如王生杰等Ⅲ’451设计合成了两种A2单体双(二甲基硅氧基)二甲基硅烷(M77)和四甲基二硅氧烷(M78)以及B’B’单体甲基乙烯基二烯丙基硅烷(M79)和B’&单体乙烯基三烯丙基硅烷(M80),并

通过如-B7B:或如.B’B3单体对法制备了超支化聚硅氧烷,见图12。以M77和M80反应(A2.B’B3)为例:由于乙烯基参与硅氢加成反应的活性较烯丙基

高,因此在室温下15rain内乙烯基与si—H键先发

生反应生成AB,中间单体,然后升温时该中间单体

上的烯丙基与Si--H键再继续反应生成超支化聚硅

氧烷,从而避免了凝胶发生。

)st\o/O--s:SI-一H叫一H毒tC…∈

M77

M78

M79

M80

图12

A2和B'B,一。单体的结构m矧

Fig.12

StructuresofA2

andB'B,.1monomers[“,“1

利用A2.B,或A2一B’B;一。单体对法制备的HBOSP的聚合物参数见表4。

表4

A2.B,(如.B’B,一。)单体对法制备的HBOSP参数

Table4

ParametersofHBOSP

via如一B,orA2-B’B,一lmonomers

pairmethod

2.3加核法(B,一AB。)制备HBOSP

在核分子Bf(Bf为多官能度小分子或者聚合

物)的存在下,利用AB。单体与之共聚合可以调控超支化聚合物的分子量和支化结构,得到具有不同分子形态的超支化聚合物,见图13。Kong等u刊以含有3个双键的含硼单体(C1)为核,以M19为增长单元制备了以硼为核的超支化聚硅氧烷PCI.19。田威等Ⅲ1以1,2.双(甲基二烯丙基硅基)乙烷(c2)为

化学进展

裹5

第20卷

核,在单体M28和核分子不同的摩尔比条件下进行聚合,制备了一系列不同分子量的支化结构更加完善的超支化聚碳硅烷PC2.28。不仅多官能度小分

B,.AB,法制备的HBOSP参数

MacromolecularparametersofHBOSPsynthesizedviaB,,

Table5

B恤卜1+弋∈…P

C1

M19

C2

M28

AB.monomerspairmethod

HBOSP

reactioncondition

M。

16

M,i

300

Mn

PCI.19【19】H2etck/35℃/20h

PC2.28[46】H2FtCl6/506C

PC3.29【”】

Karstedt’s

700一22

2.30--3.21

4300---754700

)∽C+哆<3啪sP

catalyst/70℃69.1k—100.9k

3000

1.77—2.941.04一1.25一1.26—2.2l

pCA-81[50】

140℃/MeO(CH2CH20)2Me

I'81.COM[so]catalyst/90aC/4h

530一钙870

圈13B,.AB;单体对法制备HBOSPf院4””1

FIg.13

Syntheses

of

HBOSP

Via

B,一AB,monomers

pair

metIlod(19,“。】

子可以作为核,(超支化)聚合物本身也可以作为核分子。如Macros等【圳利用苯乙烯.丁二烯嵌段共聚物(C3)为核分子,缓慢滴加单体M29制备了线性.超支化共聚物PC3.29。Kim等㈨’用超支化聚合物P20作为核分子,通过交替与氢三氯硅烷发生硅氢加成反应和与烯丙醇发生醇解反应,制备了以超支化大分子为核的二代“树枝状”聚硅氧烷I)20.G2。类似地,他们Ⅲ1还以P30为核合成了二代“树枝状”聚碳硅烷P30.G2。

不管是AB,单体法、如.B,或如.B’B,一。单体对法和B,.AB。法,都属于“发散法”,即聚合物分子都是从内向外生长。Lath等㈨潮1利用“收敛法”制备了两种HBOSP:首先合成了每个分子中只含有一个唑啉基团的超支化聚碳硅烷大单体M81,以此大单体与核分子均苯三甲酸(c4)反应生成了硅基三臂星型一超支化嵌段共聚物PCA一81;而且M81也可以与其它共聚单体(COM)发生唑啉环的开环共聚,生成线性.超支化嵌段共聚物P81.COM,见图13。这些聚合物的参数见表5。

Pt/I-lSiCl3+一

3.86

CH2CHCH20H

11

2653.86

CH2CHCH2

MgBr

也有研究者用其他一些方法制备了HBOSP。-=--,R—皇

M83:胎电sl弋≯

M84:R-

嚣船№舡招

懈:舡电s眵

圈14

超支化聚亚琴萋囔咯和聚硅基亚幂基的

合成‘玑2】

Fig.14

SyIltlle8∞ofhyperbranchedpolyphenylenesiloleneand

polyphenylenesilenes【“・“】

HBOSP分子量及支化度调控研究进展

相对于多步法合成的具有完美结构的树枝状聚

P20-G1[20】

1'30.GI【罅】Pt—C/MeHSiCl2+

2.4其他方法制备HBOSP

如Tang等b1’521通过TaCls.Ph。Sn催化含硅二炔化合物M82--M87发生三聚环化反应聚合生成了系列超支化聚亚苯基噻咯(polyphenylenesilolene)P82和聚硅基亚苯基P83--P87,见图14。Weber等b3渤1通过超强碱PI.t.Bu催化环三硅氧烷M88和M89发生质子转移聚合生成了目前唯一的超支化结构的聚二甲基硅氧烷(PDMS),见图15。

第213期张国彬等超支化有机硅基聚合物

M89

图15超支化聚二甲基硅氧烷的合成[53,54】

魄.15

Syntheses

of

hyperbranched

polydimethylsi—

lox姗(53.圳

合物(dendrimer),通过一步法制备的超支化聚合物存在分子量分布宽、支化结构不完善等缺点。为了控制超支化聚合物的分子结构和形态,研究者们研究了各种聚合方法和反应条件对其分子量和分布以及支化度的影响规律。

表6其它方法制备的HBOSP参数

Table6

Macromolecularparameters

ofHBOSPsynthesizedvia

othersmethods

Miravet等u刮通过对分别为AB:、AB4和AB6型单体的M6、M7和M8在相同条件下聚合的对比研究得出位阻效应对聚合并无明显影响的结论,而且向聚合物中继续滴加单体对提高分子量的作用很小,聚合中均存在明显的分子内成环反应。Gong等¨副以M6为对象详细研究了分子内成环反应对聚合物分子量的影响,得出以下结论:由于分子内成环反应消耗了单体和齐聚物中的A官能团,因此一步法制备的超支化聚硅氧烷具有较低的分子量和产率。基于此,作者提出了几种限制环化反应以提高聚合物分子量和产率的措施:(1)单体缓慢滴加法,能够显著提高其分子量和产率(最高肘。达86

000s/

m01),而且随着滴加速度的降低和投料量的增加,肘。及M。/M。也增加;(2)种子聚合,利用低分散多

官能度的核分子可以显著降低聚合物的分子量分布系数,这也与Kong【l训及田威等№1的结论一致。Drohmann等∞1对M27--M30分别在不同条件下所得聚合物分子量的对比研究得出以下结论:催化剂种类和用量、反应温度、单体结构和浓度等都对聚合物分子量有显著的影响;低的反应温度和催化剂用量可以抑制重排反应发生,从而避免凝胶;当单体中Si—H键和双键间隔距离较远时可以抑制重排反应避免凝胶发生;向聚合物P29中添加新单体可以有

控制地提高分子量。这些研究结论为我们提供了调控超支化聚合物分子量及其分布的参考。

一步法制备的超支化聚合物其支化结构是随机的,因此在一步法中无法控制其DB。Lach等惭1发明了一种对超支化聚合物进行端基改性以提高其

DB的方法:超支化聚碳硅烷P30(DB=0.48,平均支化数ANB=0.46)先与HSiCl3发生硅氢加成反应,将末端双键转化为si—Cl键,然后再与烯丙基溴格氏试剂反应生成DB高达0.92、ANB高达1.58的聚合物。这种方法的基本原理就是减少超支化大分子中的线性和半树枝状单元,增加树枝状单元(图16)。这种方法对所有超支化聚合物的支化度控制和提高均有借鉴意义。

A%一素BB骂

图16通过端基改性提高支化度的原理示意图㈨

Fig.16

General

concept

forenhancementofDB

byterminal

modification[”】

Tarabukina等D"通过光散射、沉降仪、黏度测定等研究了超支化聚碳硅烷P28在正己烷溶液中的流体力学和构象性质。这种超支化大分子在溶液中的分子不对称系数P≤1.5,其溶液行为迥异于典型的线性(无规线团)和树枝状聚合物(球状大分子),呈现一种独特的“紧凑结构”(compactstructure),M。为

75

0009/mol的窄分子量分布的聚合物其流体力学半

径仅在4nm以下。

HBOSP的端基功能化改性和应用研究

进展

4.1耐热材料和陶瓷前驱体

有机硅聚合物具有优异的耐热性能,因此超支

化・学进展

第20卷

化聚硅氧烷和聚碳硅烷可以作为耐热橡胶材料;同时由于其具有较低的黏度,易于浸渍纤维,也非常适宜于作为陶瓷基复合材料的粘接剂,先用普通聚合物的成型方法成型然后裂解形成硅基陶瓷。

为了进一步提高HBOSP的耐热性,可以向体系中引入受热可以反应的炔基。Son等m’篮1合成了系列含有炔基的超支化聚硅氧烷P24一P26和聚碳硅烷P34,并考察了其耐热性:聚合物P24一P26的玻璃化转变温度(T。)由于受甲基取代基和空间位阻效应的影响差别很大,从一73℃至560C;由于受热时炔基可以进一步反应,3种聚合物灼烧至1

300%

后残留率较高,分别为63%、50%和30%;P34的DSC曲线上在246℃处出现一个很强的放热峰,证明了受热时炔基可以反应;尤其值得注意的是其热稳定性非常好,在空气中和N,气中灼烧至13000C后残留率分别为62%和87%,这类聚合物有望作为SiC或者Si/O/C陶瓷前驱体。

提高聚合物热稳定性的另一个途径是引入芳环。“u等[38-4¨通过A2一B4单体对法合成的含有大量苯环的超支化聚碳硅烷具有较好的热稳定性,其5%热失重温度约在350--450。C。Tang等bk圳合成的超支化聚碳硅烷P82--P87由于整个体系均由共轭的苯环或噻咯与Si交替连接组成,因此其热稳定性很好,其5%热失重温度约在350—595oC,800℃裂解后残留率可达86%。

Kwak等协驯合成的超支化聚碳硅烷1)35和P36由于既含有炔基又含有苯环,因此热稳定性更加优异,在N:和空气中初始热分解温度分别达到500℃和160℃,加热至900℃时残留率分别为91%和75%。Interrante等∞’制备了外端全部为Si--H基团的超支化聚碳硅烷P37.Sill,这种聚合物由于含c量低,Si/C接近l,预期可以作为制备SiC陶瓷的近化

学计量前驱体,裂解后可以得到较高的陶瓷产率。他们还利用与P37结构类似的侧基为烷氧基的HBOSP通过溶胶凝胶法制备了Si/O/C陶瓷。笔者制备的超支化聚碳硅氮烷可以分别在氨气或者氮气中裂解为si,N4或者SiC/Si,N4复合陶瓷,有望作为无氧陶瓷前驱体㈨’3引。众所周知,在硅基陶瓷中引入B、越等元素可以显著提高其耐热性能。Kong等n引将B元素引入超支化聚硅氧烷中,对聚合物的TGA研究表明,B元素的引入可以明显提高裂解后的陶瓷产率。

Tang等№∞1合成了系列含Fe的超支化硅基聚

合物,对其裂解研究表明:这些聚合物在~400%时几乎没有失重,在700—1200℃惰性气体中可以裂解形成纳米级的铁磁性陶瓷;如P70.71在1000—

200℃煅烧后形成具有中空结构可导电的纳米铁

磁性陶瓷;在M气中裂解,产物中其纳米晶主要是

口.Fe203,而在Ar气中裂解主要是飚Si,后者具有高

的顺磁性(约51emu/g)以及接近于零的剩磁和矫顽磁力,因此具有高的磁化率和近于零的滞后损失,是一种很有应用潜力的软磁铁材料。4.2催化剂载体

有机硅聚合物通常具有较好的化学稳定性以及与其它有机物良好的相容性。超支化聚合物外端通常存在大量官能团,因此HBOSP非常适宜于通过化学键负载催化剂分子,这些催化剂分子大部分处于聚合物表面,可以作为有机反应均相催化剂。

Schlsgl等¨副以超支化聚碳硅烷P29为载体,通过硼氢化反应接枝上了大量双(五氟苯基)硼基,并以此作为锆金属茂合物催化丙烯聚合的共催化剂,见图17。通过与不使用共催化剂和使用小分子共催化剂催化体系的对比研究表明:聚合物负载的共催化体系具有较高的催化活性,所得聚丙烯分子量也较高。Schlenk等旧。以超支化聚碳硅烷P30为载体,通过端基改性使之负载上了钯.间苯二胺配合体(见图17),并将之用于催化苯甲酸和甲基异氰基乙酸酯的醇醛缩合反应,结果表明,超支化大分子催化剂具有和小分子Pd催化剂相似的催化活性,而且可以催化连续膜反应。

甜。坐叩B(c6F5)1

P29

、P29-B

/X

c炉)y型唑

end

OTf}.

P30

Fr30-Pd

图17

超支化聚碳硅烷负载的大分子催化剂的

制备【‰圳

Fjg.17

Syntheses

of

macromolecular

catalysts

商lIg

hyperbranehed

polycarbosilanes∞carriers【”驯

常见的用于制备有机电致发光二极管的聚合物是由芴、咔唑、噻吩和对苯乙炔撑等的衍生物组成的。芴聚合物是其中最常见的蓝光发光材料,但是聚芴在固态时(一般为膜,下同)由于严重的自聚集现象造成光谱发生红移、光色不纯和发光效率降低

4.3电致发光和光学特性聚合物

第213期张国彬等超支化有机硅基聚合物

等问题,因此研究者们提出引入超支化结构来抑制自聚集现象,同时引入si原子以形成a-/t"键来削弱其/t'-/t"大共轭体系,试图提高其发光纯度和效率。如“u等b8’圳合成的主链由芴和Si交替连接组成的超支化聚碳硅烷P60.61和P60.62都是很好的蓝光发光聚合物。由于si原子的四面体成键形态以及超支化结构抑制了自聚集现象,其分子内和分子间芴的相互作用很弱,抑制了激子迁移造成的红移现象。因此其在固态和THF溶液中二者都能高效地发出蓝光,其光致发光量子效率分别为38%一82%和73%一99%。他们还利用聚合物P60.62制备了一种“三明治”式的聚合物发光二极管(PLED),这种二极管可以发出明亮的蓝光,最大波长为415nm,外部量子效率为0.06Cd/A,驱动电压为6.0V。

“u等b州还合成了分子中同时存在芴和噻吩两种生色基团的HBOSP:其中P63.62、P64—62、P66.62和P67—62可以分别发出蓝至红光,且随着共轭长度的增加,发光光谱红移也越明显;P60—65在固态和溶液中均可高效地发出蓝光;P66.65在溶液中只表现出芴的光谱,发出强烈的蓝光,而在固态时两种生色基团的光谱都表现出来因此发出绿光;由P60.65和P66.62制成的PLED可以分别发出蓝光和绿光。

nu等㈨川还制备了同时含有芴和咔唑的

HBOSP

P68.69,并与其它不含硅的线性芴和咔唑共

聚物或者小分子硅基芴和咔唑共聚物进行了对比研究。结果表明:由于si原子的引入抑制了自聚集,因而浓度猝灭现象不明显,从而降低了红移,提高了发光纯度和量子产率;超支化结构的引入也起到了类似的作用。

Kwak等Ⅲ瑚3也合成了超支化聚碳硅烷P35和P36。由于其分子内的三维ff-rr共轭造成在其uV—vis谱上出现独特的if-R"电荷转移吸收(>300nm)。当在这个波长范围内进行激发,这些聚合物可以发出很强的肉眼可见的蓝光。Son等¨21也合成了4种存在类似三维伊7r共轭的超支化聚硅基噻吩P44.R,也出现了从噻吩到si的电荷转移吸收(300—

320nm)。

Tang等bk剐合成的超支化聚亚苯基噻咯P82和聚硅基亚苯基P83--P87。由于整个分子均是共轭体系,因此该聚合物在可见光区均有强的吸收(A一一.520nm),而且具有非线性光学活性。它们可以显著地削弱激光脉冲,其光限幅性能要优于著名的光限幅材料c∞,而且当其溶液温度降低时,其光致发光性能可以显著地提高,表现出独特的“冷致发光增

强(cooling.eIlll粕cedemission)”现象。4.4可紫外光固化HBOSP

本课题组在可紫外光(uv)固化的超支化聚硅氧烷方面进行了系列研究。Si等n71合成的聚合物P9和P10端基为双键,因此在自由基型光引发剂存在下可以直接Uv引发固化。聚合物P11端基为Si—H键,作者通过与甲基丙烯酸缩水甘油酯

(glycidylmethacrylate,GMA)发生硅氢加成反应使其

端基转化为环氧基(聚合物P11-GMA),从而在阳离子引发剂存在下也可以实现uv固化,见图18。对其固化性能研究发现气氛(N:气或空气)和光促进剂可以显著地影响双键和环氧基的转化率。si

(斗钝

I==()千R)H2嗍6甜呲

一R。。P¨0厶

阽s舻吣

舡{牡№

一善p

L/

P11-ACl85

R=

卜卫。廿

图18超支化聚硅氧烷PII的端基改性Ⅲ,刚

Fig.18Terminal

modification

ofhyperbranchedpolysiloxane

P11t17t”】

等旧1还对Pll进行端基改性制备了3种大分子光引发剂P11-ACll73、P11-ACl84和P11.ACl85,并考察了大分子光引发剂对环氧丙烯酸酯树脂光固化的引发性能,发现大分子光引发剂不仅具有比小分子光引发剂更高的引发效率,而且固化产物的热稳定性也得到明显提高。

笔者D73通过如.B3单体对法合成的超支化聚硅氧烷P59—56,由于含有大量甲基丙烯酰基团,因此可以实现快速Uv固化。对其光固化的动力学研究表明:固化速度和双键最终转化率受引发剂用量、光强度和温度的强烈影响并存在一定的规律;聚合物光固化反应的反应总级数约为3,表观活化能为16.9kJ/mol。Wang等Ⅲ弗1也对其合成的可UV固化的超支化聚硅氧烷P77.79、P77—80、P78—79和P78—80的固化性能进行了研究,得到了类似的结论。4.5其他端基功能化改性及其应用

Gong等哺¨利用聚合物P6通过端基改性制备了端基分别为环氧基、氨基和羟基的P6-epoxy、P6-N心

化学进展第20卷

和1'6.OH以及端基为长链烷烃或线性聚合物的星形接枝聚合物P6一C18、P6.PIBl、P6.PIB2和P6.PEO,见图19。通过对比研究发现:较之环氧改性的线性聚硅氧烷,超支化结构的P6一epoxy不仅具有较低的黏度以及和胺类固化剂较好的相容性,而且具有较好的粘接性能,因此非常适合用作底部填充胶;氨基和羟基改性的P6.N心和P6.OH也可以作为环氧树脂、聚亚氨酯树脂和聚酯树脂的固化剂和改性剂等;4种星形共聚物由于内部超支化聚硅氧烷核与外部所接枝臂性能的不同造成聚合物具有独特的性能,如P6一PEO由于具有憎水的超支化硅氧烷核和亲水的聚乙二醇臂,因此表现出独特的水油两亲性。

(Ⅺ∽盂未阱:l

髓P姝

附一一卜勺P洲Hz

R-s卜NH2

P∞H

R=

sL—/,\一oH

眦,8

雕舳,舡}懈船s咔cHz杀c№],

P每P—Bz

R=s}—二jf/\H}艺一

Pe-PEo舡S}儿。书№一cH厂—咿带

图19超支化聚硅氧烷P6的端基改性‘矾1

Fig.19Terminal

modificationofhyperbranchedpolysiloxane

P6[6I】

Kim掣例先利用聚合物P30与HMeSiCl2反应

将端基转化为Si—Cl键,然后利用Si—Cl键分别与3种锂化物或胆固醇反应生成了不同端基的P30.NH2、P30.PA、I"30.B"ISA和P30.Chol,见图20。

Kakimoto等¨纠将聚合物P5通过硅氢加成反应接枝上了笼型倍半硅氧烷(polyhedral

oligomeric

silsesquioxane,ross),并通过控制单Si—H官能度POSS的投料量控制接枝程度,见图2l。有趣的是,虽然超支化聚合物一般都是无定形的,但这种POSS封端的超支化聚硅氧烷却具有结晶能力,并且随着POSS基团的增加,结晶度也增加,熔点也相应升高,这为制备可结晶超支化聚合物提出了一个思路。Kakimoto等¨引还将聚合物P15端基改性为溴代异丁基作为大分子引发剂,然后通过原子转移自由基聚合方法接枝上聚(Ⅳ.异丙基丙烯酰胺)(poly(Ⅳ.

万 

方数据dP3n0半斜恃2r卫掣P30-R

jr

P30-NH2

P30-PA

R.=邮

R・=Li-NH2舡s№

娜}-N£

P30-Chol胙似岱沁

黔s卜嗡、

图加超支化聚碳硅烷P30的端基改性m1

Fig.20

Terminal

modification

of

hyperbranched

polycarbosilaneP30【”】

isopropylacrylamide),PIPAAm),见图2l。P5-PIPAAm共聚物的最低临界相变温度为34℃,即在34。C以下时易溶于水,在34。C以上时因发生相转变其水溶液

PS-PIPA,am-immobilizedsilica

图2l超支化聚硅氧烷P5的端基改性n‘朋1

rig.21Terminalmodificationof

hyperbranchedpolysiloxane

p5t“-1耵

变浑浊,且这种现象具有可逆性。这种性质正好满足温度响应型高效液相色谱(HPLC)所需的可逆热性能。作者将这种共聚物固定在Si02微珠上,用这种微珠作为温度响应型HPLC的装柱填料,并用它将亲水和亲油性胆固醇从混合物中成功地分离开。

田威等Ⅲo用与Kakimoto类似的方法将超支化聚碳硅烷P28外端接枝上了线性聚合物聚(甲基丙烯酸.Ⅳ,Ⅳ.二甲胺基乙酯)(poly(Ⅳ,N—dimethyl

aminoethyl

methacrylate),PDMA),并通过亲电反应将

卢.环糊精(p.CD)固载到PDMA链段上。这种负载p—CD的接枝共聚物不仅具有超支化结构和p.CD带

第2/3期张国彬等超支化有机硅基聚合物

・337・

来的大量空腔,可以包合小分子客体,而且PDMA链段具有温度和pH值双重敏感性,因此可以通过调

整温度或者pH值对小分子客体进行控制释放。

5结束语

本文从制备、分子形态调控以及端基改性和应用3个方面较为系统地总结了近年来超支化有机硅

基聚合物的研究进展。该类聚合物的制备方法已经有较多研究,其中A2一B,或A2.B’B,一。单体对法由于具有原料易得和可以调控分子量等优点值得深入研究和推广应用。通过多种制备方法,各种结构的HBOSP已经被设计合成出来,但是有关其分子形态(分子量及其分布、支化度及其在溶液中的构象及流体力学性质等)调控的研究还处于起步和发展阶段,很不成熟,现有的一些结论甚至相互矛盾,因此今后这方面的基础理论研究应该加强。鉴于该类聚合物广阔的应用前景,其功能化改性研究应该进一步加强,尤其是功能性端基改性与线性聚合物接枝共聚的研究面应拓宽,并深入研究其功能性和超支化结构以及硅基聚合物本身的关系等基础理论。有关其实际应用也有可能得到扩展,尤其是在发光聚合物、催化剂载体和可uV固化材料等方面相信将有更广阔的应用。

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