DK912 SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片
功能描述
DK912是一款原边反激式AC-DC开关电源控制芯片，芯片集成了700V高压开关功率管和初级峰值电流检测电路，芯片内还包含有原边反馈恒流、恒压控制及自供电电路，并具有输出线缆补偿功能，芯片采用高集成度的CMOS电路设计，外围元件极少，变压器设计简单，隔离输出电路的变压器只需要两个绕组。
产品特点
l全电压输入85V—265V。l内置700V高压开关功率管。
l芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部加启动电阻。l专利的原边反馈控制算法，无需辅助绕组。l专利的自供电技术，无需外部绕组供电。
l内置PWM 振荡电路，并设有抖频功能，保证了良好的EMC 特性。l±2%恒压电压精度，±5%恒流精度。l过温、过流、过压以及短路保护。l4KV 防静电ESD 测试。
应用领域
12W以下AC-DC应用包括：电源适配器、LED电源、电磁炉、空调、DVD等小家电产品
。
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
封装与引脚定义（SOP8）
引脚1 2 3 4 5,6 7,8
符号HV IS FB VDD GND OC
功能描述
启动引脚，外接电阻2.2M到7.8脚（OC）。外部
对地接
电阻，设置
最大
峰值电流
引脚
。原边反馈引脚。
芯片的工作电源正端，外部对地接10uF-47uF电容。芯片地。
芯片内部高压功率管的漏极引脚。
极限参数
供电电压VDD
供电电流VDD
…………
…… -0.3V--8V …… 100mA
引脚电压 ……功率管耐压
峰值电流 ……总耗散功率
工作温度 ……储存温度 ……焊接温度 …………………………………………………………………………………… -0.3V--VDD+0.3V …… -0.3V--730V …… 700mA …… 600mW
…… -25°C--+125°C …… -55°C--+150°C …… +280°C/5S
电气参数
项目
测试条件
最小
典型
最大
单位
VDD
工作电压VDD启动电压VDD重启电压VDD 保护电压VDD工作电流高压启动电流启动时间功率管耐压功率管最大电流IS最大开通电压IS最小开通电压恒压基工作频率最小开通时间开路保护电压短路保护阀值温度保护
电压
DK912 SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片
AC输入85V------265V AC输入85V------265V AC输入85V------265V AC输入85V------265V VDD=5V，Fb=2V AC 输入265VAC输入85V Ioc=1mA VDD=5V VDD=5V VDD=5V VDD=5V VDD=5VVDD=5V
VDD=5V，测量FB电压VDD=5V，测量FB电压VDD=5V
120
4 4.5 3.3 6
4.7 4.7 3.6 6.2
6 5 3.9 6.5 40 0.5500
V V V V mAmAmS V
700
700
360802.4516k
5003.71.3
125
130
mAmVmVV hz nsVV°C
4001002.5
4401202.5565k
功能描述
DK912主要应用于8--12W原边反馈适配器，充电器，恒压精度可达到+/-2%；芯片反激阶段通过FB引脚检测初级线圈VOR电压来实现对输出电压VOUT的控制；
VVOUT≈
OR
R*
2
N
R1
−Vd（N为匝比，Vd为次级整流二极管电压）；芯片外部通过设定最大峰
1
值电流Ipmax，来限制最大输出功率：Pomax≈*Ipmax*N*Vout；可以通过适当
4
N*Vout
调节N来调节最大输出功率。最大输出功率时，Fsmax=，需保证
2*Lp*IpmaxFsmax
16*5
=1mh
2*65k*600mA
N*Vout
2*Fsmax*Ipmax
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
上电启动
芯片内置高压启动电流源；上电后启动电流对外部的VDD储能电容充电，当VDD电压达到5.0V的时候，上电启动过程结束，芯片进入软启动阶段。
软启动
1
上电启动后的1ms, 芯片工作在32khz, 峰值电流为*Ipmax；
2上电启动延时256us后，开始检测FB电压。
FB 检测：
反激阶段，FB口通过外接分压电阻检测VOR反射电压；芯片在检测到FB>0.7v后，开始采样FB电压；为防止误检测到漏感电压，芯片会在延时2us后开始采样FB电压。采样后的FB电压和内部2.5v电压基准做误差放大，误差放大器的输出控制初级峰值电流Ip，调节输出电压。
恒流模式
当负载超过最大输出功率时，芯片工作在恒流模式。输出电流Io≈*Ipmax*N。
芯片的工作频率Fs=
N*Vout
；随着负载的增大，输出电压降低，Fs减小。
2*Lp*Ipmax
14
当输出电压低到正常输出电压的1/2时，芯片会进入短路保护。
恒压模式
当负载小于最大输出功率时，芯片工作在恒压模式。如果芯片工作频率小于65khz,芯片的工作频率Fs=
N*Vout
；负载增加时，Ip增加，Fs减小；反之当负载减小时，
2*Lp*Ip
Ip减小，Fs增加，芯片工作在PFM模式。当负载减小到工作频率Fs=65khz时，工作频率固定为65khz, 芯片工作在PWM。当负载减小时，Ip减小；当负载进入到轻载或者待机时，为减少待机功耗，芯片会进入跳断模
式。
峰值电流：
DK912 SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片
400mV
，Ipmax典型值为Ris
在IS引脚和地之间串联电阻Ris控制峰值电流Ipmax=
660mA。
自供电：
芯片使用了专利的自供电技术，控制VDD的电压在4.7V左右，提供芯片本身的电流消耗，无需外部辅助绕组提供。
线缆补偿：
内置线缆补偿电路，减小不同负载时由于线缆阻抗产生的输出电压误差。
电源异常：
因外部的某种异常引起的VDD电压高于6.2V 时，芯片进入VDD过压保护。
FB口检测异常保护：
次级开路时，Vor电压会不断升高;当芯片检测到FB电压超出3.7v，进入异常保护。FB电阻断路保护：上电时，芯片检测到FB电阻断路，进入异常保护。
功率管过压保护
为防止功率管过压，当芯片检测到功率管端电压超过600v时, 进入功率管过压保护。
短路保护：
为防止次级短路，芯片采样检测到FB电压低于1.3v并且持续时间超过8ms，进入短路保护。
过温保护：
任何时候检测到芯片温度超过130℃，立即启动过温保护，停止输出脉冲，直到过温状况解除
。
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
典型应用一：两绕组
5V2A
元器件清单
序
号1 2 3 4 5 6 7 10 11 12 14 15 16 17 18 19
电阻 电容
电感电解电容元件名称保险整流二极管二极管
规格/型号F2A/AC250V 1N4007 FR107 SR540 15uF/400V 22uF/16V 1000uF/16V10uH/2.5A 2G103 Y电容102 10pF25V 2.2M 100K 47 0.5 250K
位号F1 D1-D4D5 D6 C1 C3 C5、C6L1 C4 C7 C2 R1 R6 R5 R2 R4
数量1 4 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1
精度1%精度1% 高频低阻备注
20 21 22 23
IC 变压器
SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912
8K 1K DK912 SOP8 EE19
R3 R7 U1 T1
1 1 1 1
精度1%
变压器设计：
1、参数确定
变压器设计时，需要先确定电路参数如下：输入电压范围：AC 85V~265V，输出电压及电流：DC5V/2A，最大开关频率60khz，最大占空比50%。2、磁心的选择
先计算出电源的输入功率P=Pout/η(η指开关电源的效率，设为0.75)，而Pout=Vout*Iout=5V*2A=10W，即Pin=10W/0.75=13.3W，可用EE19磁心，Ae=23mm²。3、确定变压器的匝比
变压器的反激电压Vor设定为取值在60V～120V之间，一般建议Vor取80V，因此：N=
80VVor
=≈15。Vout5.5V
2*Pomax2*10W
=≈560mA，
VIN*TON*Fsmax*η100V*8us*60K*0.75
400mv
=> Rs≈0.6ohm，实测修正为Rs≈0.56ohm正好输出10W。
Rs+0.1
4、计算Rs电阻：
如前所述IP=根据Ipmax=
5、计算电感：由Pin=
12L*IP*Fs得2
2*Pomax2*10WL=2=≈1.4mH2
IP*Fsmax*η0.56A*60K*0.75
电感取1.4mH。
6
、计算原边匝数Np：由磁通链的两个公式λ=NP*Ae*B及λ=L*IP得
NP=
L*IPB*Ae
变压器的设计时最大磁感应强度不能大于0.4T，(铁氧体的饱和磁感应强度一般为0.4T左右)，由于单端反激电路工作在B-H的第一象限，磁心又存在剩磁Br约为0.1T，所以最大的工作磁通Bmax最大只有0.4T-0.1T=0.3T。Bmax最大不能超过0.3T，公式中取值0.25T；EE19磁心的中柱截面积为Ae=23mm²
NP7=为
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
L*IP1.4mH*560mA
=≈136匝2
B*Ae0.25T*23mm
次级圈数为整数，取初级圈数取为135匝。
Ns=Np/N=135/15=9匝
理想器件，在制造过程中一定会存在漏感，漏感会影响到产品的稳
7、计算副边匝数NS
8、变压器的漏感
由于变压器不求。
定及安全，所以要减小漏感，三明治绕线方式可以减小漏感，需要同时兼顾EMI的要
典型应用二：三绕组
5V2A
元器件清单:
序
号1 2 4 5 6
元件名称保险整流二极管二极管电解电容
规格/型号F2A/AC250V 1N4007 FR107 SR540 10uF/400V
位号F1 D1~D4D5 D6 C1、C7
数量1 4 1 1 2
备注
7 8 9 10 11 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
IC 变压器电阻电容电感
SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912
22uF/16V 1000uF/10V2mH/EMI 10uH/2.5A 103/250V Y电容102 10pF/25V 100K 47 2.2M 0.5 10K 9.1K 1K DK912 SOP8 EE19
C3 C5、C8L1 L2 C4 C6
C2 R5 R6 R1 R2 R4 R3 R7 U1 T1
1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
精度1% 精度1% 精度1% 低ESR
变压器设计：
1、参数确定
变压器设计时，需要先确定电路参数如下：输入电压范围：AC 85V~265V，输出电压及电流：DC5V/2A，最大开关频率60khz，最大占空比50%。2、磁心的选择
先计算出电源的输入功率P=Pout/η(η指开关电源的效率，设为0.75)，而Pout=Vout*Iout=5V*2A=10W，即Pin=10W/0.75=13.3W，可用EE19磁心，Ae=23mm²。3、确定变压器的匝比
变压器的反激电压Vor设定为取值在60V～120V之间，一般建议Vor取80V，因此：N=
80VVor
=≈15。Vout5.5V
2*Pomax2*10
=≈560mA，
VIN*TON*Fsmax*η100*8us*60K*0.75
4、计算Rs电阻：
如前所述IP=
根据Ipmax=
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
400mv
=> Rs≈0.6ohm，实测修正为Rs≈0.56ohm正好输出10W。
Rs+0.1
12
5、计算电感：由Pin=L*IP*Fs得
2
L=
2*Pomax2*10
=≈1.4mH2
IP*Fsmax*η0.562*60K*0.75
电感取1.4mH。
7、计算原边匝数Np：由磁通链的两个公式λ=NP*Ae*B及λ=L*IP得
NP=
L*IPB*Ae
变压器的设计时最大磁感应强度不能大于0.4T，(铁氧体的饱和磁感应强度一般为0.4T左右)，由于单端反激电路工作在B-H的第一象限，磁心又存在剩磁Br约为0.1T，所以最大的工作磁通Bmax最大只有0.4T-0.1T=0.3T。Bmax最大不能超过0.3T，公式中取值0.25T；EE19磁心的中柱截面积为Ae=23mm²
NP7=为
L*IP1.4mH*560mA
=≈136匝B*Ae0.25T*23mm2
次级圈数为整数，取初级圈数取为135匝。
Ns=Np/N=135/15=9匝
7、计算副边匝数Ns和辅助绕组匝数
辅助绕组匝数与次级一致，并且绕制变压器时贴近次级绕组。8、变压器的漏感
由于变压器不求。
理想器件，在制造过程中一定会存在漏感，漏感会影响到产品的稳
定及安全，所以要减小漏感，三明治绕线方式可以减小漏感，需要同时兼顾EMI的要
计注意事项
1、功率器件是需要散热的，芯片的主要热量来自功率开关管，功率开关管与引脚OC相连接，所以在PCB布线时，应该将引脚OC外接的铜箔的面积加大并作镀锡处理，以增大散热能力;同时这个部分也
交流信号部分，在EMI/EMC设计时这个位置尽量远
离输入部分，如上图的L1左边部分电路，尽量减小电磁/电容耦合。
2、芯片的OC引脚是芯片的高压部份，最高电压可达600V以上，所以在线路布置上要与低压部份保证1.5mm以上的安全距离，在5,6脚和7,8脚开1mm槽以避开过锡炉中
3、变压器的漏感
由于变压器不
感。 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8松香等助焊剂漏电，造成电路出现击穿放电现象。理想器件，在制造过程中一定会存在漏感，漏感会影响到产品的稳定及安全，所以要减小，漏电感应控制在电感量的5%以内，三明治绕线方式可以减小漏
封装尺寸
(SOP8)
业务电话：400-033-6518
注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 www.linkage66.com
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片 DK912SOP8
包装信息盘装（2.5K/盘
）
业务电话：400-033-6518
注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 www.linkage66.com
DK912 SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片
功能描述
DK912是一款原边反激式AC-DC开关电源控制芯片，芯片集成了700V高压开关功率管和初级峰值电流检测电路，芯片内还包含有原边反馈恒流、恒压控制及自供电电路，并具有输出线缆补偿功能，芯片采用高集成度的CMOS电路设计，外围元件极少，变压器设计简单，隔离输出电路的变压器只需要两个绕组。
产品特点
l全电压输入85V—265V。l内置700V高压开关功率管。
l芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部加启动电阻。l专利的原边反馈控制算法，无需辅助绕组。l专利的自供电技术，无需外部绕组供电。
l内置PWM 振荡电路，并设有抖频功能，保证了良好的EMC 特性。l±2%恒压电压精度，±5%恒流精度。l过温、过流、过压以及短路保护。l4KV 防静电ESD 测试。
应用领域
12W以下AC-DC应用包括：电源适配器、LED电源、电磁炉、空调、DVD等小家电产品
。
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
封装与引脚定义（SOP8）
引脚1 2 3 4 5,6 7,8
符号HV IS FB VDD GND OC
功能描述
启动引脚，外接电阻2.2M到7.8脚（OC）。外部
对地接
电阻，设置
最大
峰值电流
引脚
。原边反馈引脚。
芯片的工作电源正端，外部对地接10uF-47uF电容。芯片地。
芯片内部高压功率管的漏极引脚。
极限参数
供电电压VDD
供电电流VDD
…………
…… -0.3V--8V …… 100mA
引脚电压 ……功率管耐压
峰值电流 ……总耗散功率
工作温度 ……储存温度 ……焊接温度 …………………………………………………………………………………… -0.3V--VDD+0.3V …… -0.3V--730V …… 700mA …… 600mW
…… -25°C--+125°C …… -55°C--+150°C …… +280°C/5S
电气参数
项目
测试条件
最小
典型
最大
单位
VDD
工作电压VDD启动电压VDD重启电压VDD 保护电压VDD工作电流高压启动电流启动时间功率管耐压功率管最大电流IS最大开通电压IS最小开通电压恒压基工作频率最小开通时间开路保护电压短路保护阀值温度保护
电压
DK912 SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片
AC输入85V------265V AC输入85V------265V AC输入85V------265V AC输入85V------265V VDD=5V，Fb=2V AC 输入265VAC输入85V Ioc=1mA VDD=5V VDD=5V VDD=5V VDD=5V VDD=5VVDD=5V
VDD=5V，测量FB电压VDD=5V，测量FB电压VDD=5V
120
4 4.5 3.3 6
4.7 4.7 3.6 6.2
6 5 3.9 6.5 40 0.5500
V V V V mAmAmS V
700
700
360802.4516k
5003.71.3
125
130
mAmVmVV hz nsVV°C
4001002.5
4401202.5565k
功能描述
DK912主要应用于8--12W原边反馈适配器，充电器，恒压精度可达到+/-2%；芯片反激阶段通过FB引脚检测初级线圈VOR电压来实现对输出电压VOUT的控制；
VVOUT≈
OR
R*
2
N
R1
−Vd（N为匝比，Vd为次级整流二极管电压）；芯片外部通过设定最大峰
1
值电流Ipmax，来限制最大输出功率：Pomax≈*Ipmax*N*Vout；可以通过适当
4
N*Vout
调节N来调节最大输出功率。最大输出功率时，Fsmax=，需保证
2*Lp*IpmaxFsmax
16*5
=1mh
2*65k*600mA
N*Vout
2*Fsmax*Ipmax
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
上电启动
芯片内置高压启动电流源；上电后启动电流对外部的VDD储能电容充电，当VDD电压达到5.0V的时候，上电启动过程结束，芯片进入软启动阶段。
软启动
1
上电启动后的1ms, 芯片工作在32khz, 峰值电流为*Ipmax；
2上电启动延时256us后，开始检测FB电压。
FB 检测：
反激阶段，FB口通过外接分压电阻检测VOR反射电压；芯片在检测到FB>0.7v后，开始采样FB电压；为防止误检测到漏感电压，芯片会在延时2us后开始采样FB电压。采样后的FB电压和内部2.5v电压基准做误差放大，误差放大器的输出控制初级峰值电流Ip，调节输出电压。
恒流模式
当负载超过最大输出功率时，芯片工作在恒流模式。输出电流Io≈*Ipmax*N。
芯片的工作频率Fs=
N*Vout
；随着负载的增大，输出电压降低，Fs减小。
2*Lp*Ipmax
14
当输出电压低到正常输出电压的1/2时，芯片会进入短路保护。
恒压模式
当负载小于最大输出功率时，芯片工作在恒压模式。如果芯片工作频率小于65khz,芯片的工作频率Fs=
N*Vout
；负载增加时，Ip增加，Fs减小；反之当负载减小时，
2*Lp*Ip
Ip减小，Fs增加，芯片工作在PFM模式。当负载减小到工作频率Fs=65khz时，工作频率固定为65khz, 芯片工作在PWM。当负载减小时，Ip减小；当负载进入到轻载或者待机时，为减少待机功耗，芯片会进入跳断模
式。
峰值电流：
DK912 SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片
400mV
，Ipmax典型值为Ris
在IS引脚和地之间串联电阻Ris控制峰值电流Ipmax=
660mA。
自供电：
芯片使用了专利的自供电技术，控制VDD的电压在4.7V左右，提供芯片本身的电流消耗，无需外部辅助绕组提供。
线缆补偿：
内置线缆补偿电路，减小不同负载时由于线缆阻抗产生的输出电压误差。
电源异常：
因外部的某种异常引起的VDD电压高于6.2V 时，芯片进入VDD过压保护。
FB口检测异常保护：
次级开路时，Vor电压会不断升高;当芯片检测到FB电压超出3.7v，进入异常保护。FB电阻断路保护：上电时，芯片检测到FB电阻断路，进入异常保护。
功率管过压保护
为防止功率管过压，当芯片检测到功率管端电压超过600v时, 进入功率管过压保护。
短路保护：
为防止次级短路，芯片采样检测到FB电压低于1.3v并且持续时间超过8ms，进入短路保护。
过温保护：
任何时候检测到芯片温度超过130℃，立即启动过温保护，停止输出脉冲，直到过温状况解除
。
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
典型应用一：两绕组
5V2A
元器件清单
序
号1 2 3 4 5 6 7 10 11 12 14 15 16 17 18 19
电阻 电容
电感电解电容元件名称保险整流二极管二极管
规格/型号F2A/AC250V 1N4007 FR107 SR540 15uF/400V 22uF/16V 1000uF/16V10uH/2.5A 2G103 Y电容102 10pF25V 2.2M 100K 47 0.5 250K
位号F1 D1-D4D5 D6 C1 C3 C5、C6L1 C4 C7 C2 R1 R6 R5 R2 R4
数量1 4 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1
精度1%精度1% 高频低阻备注
20 21 22 23
IC 变压器
SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912
8K 1K DK912 SOP8 EE19
R3 R7 U1 T1
1 1 1 1
精度1%
变压器设计：
1、参数确定
变压器设计时，需要先确定电路参数如下：输入电压范围：AC 85V~265V，输出电压及电流：DC5V/2A，最大开关频率60khz，最大占空比50%。2、磁心的选择
先计算出电源的输入功率P=Pout/η(η指开关电源的效率，设为0.75)，而Pout=Vout*Iout=5V*2A=10W，即Pin=10W/0.75=13.3W，可用EE19磁心，Ae=23mm²。3、确定变压器的匝比
变压器的反激电压Vor设定为取值在60V～120V之间，一般建议Vor取80V，因此：N=
80VVor
=≈15。Vout5.5V
2*Pomax2*10W
=≈560mA，
VIN*TON*Fsmax*η100V*8us*60K*0.75
400mv
=> Rs≈0.6ohm，实测修正为Rs≈0.56ohm正好输出10W。
Rs+0.1
4、计算Rs电阻：
如前所述IP=根据Ipmax=
5、计算电感：由Pin=
12L*IP*Fs得2
2*Pomax2*10WL=2=≈1.4mH2
IP*Fsmax*η0.56A*60K*0.75
电感取1.4mH。
6
、计算原边匝数Np：由磁通链的两个公式λ=NP*Ae*B及λ=L*IP得
NP=
L*IPB*Ae
变压器的设计时最大磁感应强度不能大于0.4T，(铁氧体的饱和磁感应强度一般为0.4T左右)，由于单端反激电路工作在B-H的第一象限，磁心又存在剩磁Br约为0.1T，所以最大的工作磁通Bmax最大只有0.4T-0.1T=0.3T。Bmax最大不能超过0.3T，公式中取值0.25T；EE19磁心的中柱截面积为Ae=23mm²
NP7=为
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
L*IP1.4mH*560mA
=≈136匝2
B*Ae0.25T*23mm
次级圈数为整数，取初级圈数取为135匝。
Ns=Np/N=135/15=9匝
理想器件，在制造过程中一定会存在漏感，漏感会影响到产品的稳
7、计算副边匝数NS
8、变压器的漏感
由于变压器不求。
定及安全，所以要减小漏感，三明治绕线方式可以减小漏感，需要同时兼顾EMI的要
典型应用二：三绕组
5V2A
元器件清单:
序
号1 2 4 5 6
元件名称保险整流二极管二极管电解电容
规格/型号F2A/AC250V 1N4007 FR107 SR540 10uF/400V
位号F1 D1~D4D5 D6 C1、C7
数量1 4 1 1 2
备注
7 8 9 10 11 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
IC 变压器电阻电容电感
SOP8 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912
22uF/16V 1000uF/10V2mH/EMI 10uH/2.5A 103/250V Y电容102 10pF/25V 100K 47 2.2M 0.5 10K 9.1K 1K DK912 SOP8 EE19
C3 C5、C8L1 L2 C4 C6
C2 R5 R6 R1 R2 R4 R3 R7 U1 T1
1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
精度1% 精度1% 精度1% 低ESR
变压器设计：
1、参数确定
变压器设计时，需要先确定电路参数如下：输入电压范围：AC 85V~265V，输出电压及电流：DC5V/2A，最大开关频率60khz，最大占空比50%。2、磁心的选择
先计算出电源的输入功率P=Pout/η(η指开关电源的效率，设为0.75)，而Pout=Vout*Iout=5V*2A=10W，即Pin=10W/0.75=13.3W，可用EE19磁心，Ae=23mm²。3、确定变压器的匝比
变压器的反激电压Vor设定为取值在60V～120V之间，一般建议Vor取80V，因此：N=
80VVor
=≈15。Vout5.5V
2*Pomax2*10
=≈560mA，
VIN*TON*Fsmax*η100*8us*60K*0.75
4、计算Rs电阻：
如前所述IP=
根据Ipmax=
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8
400mv
=> Rs≈0.6ohm，实测修正为Rs≈0.56ohm正好输出10W。
Rs+0.1
12
5、计算电感：由Pin=L*IP*Fs得
2
L=
2*Pomax2*10
=≈1.4mH2
IP*Fsmax*η0.562*60K*0.75
电感取1.4mH。
7、计算原边匝数Np：由磁通链的两个公式λ=NP*Ae*B及λ=L*IP得
NP=
L*IPB*Ae
变压器的设计时最大磁感应强度不能大于0.4T，(铁氧体的饱和磁感应强度一般为0.4T左右)，由于单端反激电路工作在B-H的第一象限，磁心又存在剩磁Br约为0.1T，所以最大的工作磁通Bmax最大只有0.4T-0.1T=0.3T。Bmax最大不能超过0.3T，公式中取值0.25T；EE19磁心的中柱截面积为Ae=23mm²
NP7=为
L*IP1.4mH*560mA
=≈136匝B*Ae0.25T*23mm2
次级圈数为整数，取初级圈数取为135匝。
Ns=Np/N=135/15=9匝
7、计算副边匝数Ns和辅助绕组匝数
辅助绕组匝数与次级一致，并且绕制变压器时贴近次级绕组。8、变压器的漏感
由于变压器不求。
理想器件，在制造过程中一定会存在漏感，漏感会影响到产品的稳
定及安全，所以要减小漏感，三明治绕线方式可以减小漏感，需要同时兼顾EMI的要
计注意事项
1、功率器件是需要散热的，芯片的主要热量来自功率开关管，功率开关管与引脚OC相连接，所以在PCB布线时，应该将引脚OC外接的铜箔的面积加大并作镀锡处理，以增大散热能力;同时这个部分也
交流信号部分，在EMI/EMC设计时这个位置尽量远
离输入部分，如上图的L1左边部分电路，尽量减小电磁/电容耦合。
2、芯片的OC引脚是芯片的高压部份，最高电压可达600V以上，所以在线路布置上要与低压部份保证1.5mm以上的安全距离，在5,6脚和7,8脚开1mm槽以避开过锡炉中
3、变压器的漏感
由于变压器不
感。 原边反馈恒流、恒压电源控制芯片DK912SOP8松香等助焊剂漏电，造成电路出现击穿放电现象。理想器件，在制造过程中一定会存在漏感，漏感会影响到产品的稳定及安全，所以要减小，漏电感应控制在电感量的5%以内，三明治绕线方式可以减小漏
封装尺寸
(SOP8)
业务电话：400-033-6518
注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 www.linkage66.com
原边反馈恒流、恒压电源控制芯片 DK912SOP8
包装信息盘装（2.5K/盘
）
业务电话：400-033-6518
注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 www.linkage66.com