工序品质不良解决方案
硅片来料：
外观：
有指印、脏污。需要一洗员工把较严重的挑出集中待工艺工程师处理（试
做或退仓）。
一次清洗
外观：
有严重外观（麻点、色差、水痕、脏污、发白、发亮）等不良现象。 返工1:（麻点、色差、脏污、发白）重新制绒（温度82度，时间1300
秒）根据表面的干净程度而定。
返工2：（水痕、硅酸钠沉淀物）重新酸洗，或(必要时可放入制绒槽, 不
用添加氢氧化钠, 加补异丙醇量进行返工即可) 。
返工3：（发亮）硅片制绒时间过长表面金字塔崩塌，如片源腐蚀过薄，
则可重新返工，如片源腐蚀过厚则无法返工，根据工程师要求进行处理。
注： 如出现外观批次不合格时需马上观察下一批次与机器槽内硅片的情况，如
情况一样或加重，马上叫停生产；通知生产部与质检部当班班长和工艺组
工程师（调工艺少量试做）如仍无法解决时要上报品控工程师与请求技术
部研发工程师协助解决或各部门上层领导。主要由品控工程师与相关部门
沟通、处理，待问题解决后再恢复生产。（其它工序一样）
少子寿命：
少子寿命低（小于2us ），证明表面清洗不干净金属离子残留较多，
返工：重新酸洗，无需制绒。酸洗后仍不合格的硅片可能来料问题，
待工艺工程师确认后处理（直接流下工序或退仓）。
腐蚀重量：
如果清洗前后重量超标，减轻：称单片重量，单片硅片厚度在165微米、
5.7克以上，根据 绒面情况，可返工调工艺。如果重量在165微米、5.7
克以下，则无法返工，根据工程师要求进行处理。
扩散
外观：
有严重偏磷酸污染，需挑出集中返工。
返工：流入二洗——加长清洗磷硅玻璃时间，如没效果则返回一洗制绒后
在重新扩散。
方块电阻：
（针对电阻率在1-3Ωcm 范围内）返工：
1）方块电阻小于30欧。
二洗返工：去磷硅玻璃——漂洗——喷淋——甩干——返回扩散按正常
工艺操作进行重新扩散。（工艺不变）
2) 方块电阻在50——60欧。返工扩散20分钟。（工艺不变）
3）方块电阻大于60欧。直接重新做一次正常的扩散工艺。（工艺不变）
其它电阻率扩散后方块电阻不合格返工的，可参照扩散工艺说明书.
少子寿命：
小于4μs ：去磷硅玻璃——漂洗——喷林——漂洗——甩干——返回一
洗进行酸洗——重新扩散一次。
如仍然小于4μs ，待工艺工程师处理（直接流下工序或退仓）。
刻蚀
外观：
标准：灰白色小于或等于2毫米，白色痕宽度小于或等于0.5毫米。
若超过标准此硅片可流入下工序，但需通知工程师和生产部做调整观察下
一批次。
导电类型测试：
显“N ”型，证明硅片没有刻蚀完全。
返工：辉光时间缩正常刻蚀时间的一半进行刻蚀。
若刻蚀中途停电或刻蚀中途无气体:重新刻蚀，不改变工艺。
二洗
外观：
水痕：证明溶液脏污，（重新配液，硅片重新酸洗）工艺1#槽可适当延长
清洗时间。
二洗后硅片表面一定要甩干，无甩干、水珠等现象；如有不良重新甩干。
PECVD 工序：
外观：
硅片表面发红，返回二洗工序重新酸洗，1#槽可适当加时间。
镀膜厚度异常：调整工艺时间，传输速度；必要时可做气体的流量比例调 整。
折射率异常：调整反应气体的流量和比例。
厚度和折射率不均匀：调整电极功率，反射功率，或压强。
返工标准：1) 膜厚大于85nm 或者小于65nm.
2）折射率大于2.25或者小于1.95。
丝网印刷
外观：
若是漏浆，背电场缺失，没有经过烧结可挑出返工
印刷图形不完整原因有
（1）开启印刷，添加浆料：处理方法是降低印刷速度（50~100）mm/s， 印刷正常后，恢复正常速度。
（2）印刷机长时间无印刷：处理方法是停机用松油醇擦拭网版底部，恢复
印刷时，无尘布擦拭网版。
边缘漏浆原因有
网版边缘破损：处理方法是定期检测硅片，边缘是否漏浆，及时发现后更
换网版。
隐形裂纹原因有
添加浆料，清洁台面后：处理方法是现场检查硅片是否破损，如有破损，
停机检查台面。
印刷破片原因有
网版、刷台表面有异物，前工序流入隐裂：处理方法是发现后迅速停机， 清洁台面，恢复印刷后检查隐裂。
网版粘片原因有
开启印刷、停机时间过长：处理方法是降低印刷速度（40~60）mm/s,印刷正常后，速度回复正常。
栅线断开现象处理方法是擦拭网版，必要时用抹布沾湿松油醇，如无效，更换网版。
印刷偏移原因有
开启印刷、停机时间过长；硅片传输到网版底下后挡住摄像头或程序异常； 更换网版后所导致印刷偏移。
处理方法：重新调整X 、Y 轴设置参数；取出网版底层硅片后正常流片观察 传输位置。
测试分选
烧结与分选测试相关的异常：
烧结后导致测试成品后电性能参数数据明显异常时情况
烧结温度过高有
现象：Rs 有所增大，Rsh 较小，转换效率较低。
改善方法：参数降低9区温度，建议不要增大和减小速度。
烧结温度不足有
现象：Rs 较大，Uoc 较小，转换效率较低。
改善方法：升高9区温度，必要时增高8区温度，建议不要增大和减小速度。 注：第8、9温区的温度修改，每次增大或减小的幅度为3~10度，提倡小幅度微
调，如有出现明显偏差可增大改动幅度。
机器故障异常现象：
1）机器铝粉过多导致测试探针测试时不稳定；
处理方法：用无尘布与异丙醇进行探针、内置小块标片与机器表面进行清洁，后再用干无尘布擦拭探针停留片刻后恢复测试生产。
2）测试数据Isc 增大、Rs 增大、Pmax 下降、效率降低等不良现象；
处理方法：检查探针，如有探针松动、毛刺、弹性不好，更换探针，更换探针后需要重新校正测试仪。
二级标片异常处理：
如发现A 标片衰减或异常时，及时停止该标片的使用，使用其它标片进行校
正恢复正常生产，后并做A 标片的测试对比实验确认是否已损坏。（必要时可作现场立刻对比）。
工序品质不良解决方案
硅片来料：
外观：
有指印、脏污。需要一洗员工把较严重的挑出集中待工艺工程师处理（试
做或退仓）。
一次清洗
外观：
有严重外观（麻点、色差、水痕、脏污、发白、发亮）等不良现象。 返工1:（麻点、色差、脏污、发白）重新制绒（温度82度，时间1300
秒）根据表面的干净程度而定。
返工2：（水痕、硅酸钠沉淀物）重新酸洗，或(必要时可放入制绒槽, 不
用添加氢氧化钠, 加补异丙醇量进行返工即可) 。
返工3：（发亮）硅片制绒时间过长表面金字塔崩塌，如片源腐蚀过薄，
则可重新返工，如片源腐蚀过厚则无法返工，根据工程师要求进行处理。
注： 如出现外观批次不合格时需马上观察下一批次与机器槽内硅片的情况，如
情况一样或加重，马上叫停生产；通知生产部与质检部当班班长和工艺组
工程师（调工艺少量试做）如仍无法解决时要上报品控工程师与请求技术
部研发工程师协助解决或各部门上层领导。主要由品控工程师与相关部门
沟通、处理，待问题解决后再恢复生产。（其它工序一样）
少子寿命：
少子寿命低（小于2us ），证明表面清洗不干净金属离子残留较多，
返工：重新酸洗，无需制绒。酸洗后仍不合格的硅片可能来料问题，
待工艺工程师确认后处理（直接流下工序或退仓）。
腐蚀重量：
如果清洗前后重量超标，减轻：称单片重量，单片硅片厚度在165微米、
5.7克以上，根据 绒面情况，可返工调工艺。如果重量在165微米、5.7
克以下，则无法返工，根据工程师要求进行处理。
扩散
外观：
有严重偏磷酸污染，需挑出集中返工。
返工：流入二洗——加长清洗磷硅玻璃时间，如没效果则返回一洗制绒后
在重新扩散。
方块电阻：
（针对电阻率在1-3Ωcm 范围内）返工：
1）方块电阻小于30欧。
二洗返工：去磷硅玻璃——漂洗——喷淋——甩干——返回扩散按正常
工艺操作进行重新扩散。（工艺不变）
2) 方块电阻在50——60欧。返工扩散20分钟。（工艺不变）
3）方块电阻大于60欧。直接重新做一次正常的扩散工艺。（工艺不变）
其它电阻率扩散后方块电阻不合格返工的，可参照扩散工艺说明书.
少子寿命：
小于4μs ：去磷硅玻璃——漂洗——喷林——漂洗——甩干——返回一
洗进行酸洗——重新扩散一次。
如仍然小于4μs ，待工艺工程师处理（直接流下工序或退仓）。
刻蚀
外观：
标准：灰白色小于或等于2毫米，白色痕宽度小于或等于0.5毫米。
若超过标准此硅片可流入下工序，但需通知工程师和生产部做调整观察下
一批次。
导电类型测试：
显“N ”型，证明硅片没有刻蚀完全。
返工：辉光时间缩正常刻蚀时间的一半进行刻蚀。
若刻蚀中途停电或刻蚀中途无气体:重新刻蚀，不改变工艺。
二洗
外观：
水痕：证明溶液脏污，（重新配液，硅片重新酸洗）工艺1#槽可适当延长
清洗时间。
二洗后硅片表面一定要甩干，无甩干、水珠等现象；如有不良重新甩干。
PECVD 工序：
外观：
硅片表面发红，返回二洗工序重新酸洗，1#槽可适当加时间。
镀膜厚度异常：调整工艺时间，传输速度；必要时可做气体的流量比例调 整。
折射率异常：调整反应气体的流量和比例。
厚度和折射率不均匀：调整电极功率，反射功率，或压强。
返工标准：1) 膜厚大于85nm 或者小于65nm.
2）折射率大于2.25或者小于1.95。
丝网印刷
外观：
若是漏浆，背电场缺失，没有经过烧结可挑出返工
印刷图形不完整原因有
（1）开启印刷，添加浆料：处理方法是降低印刷速度（50~100）mm/s， 印刷正常后，恢复正常速度。
（2）印刷机长时间无印刷：处理方法是停机用松油醇擦拭网版底部，恢复
印刷时，无尘布擦拭网版。
边缘漏浆原因有
网版边缘破损：处理方法是定期检测硅片，边缘是否漏浆，及时发现后更
换网版。
隐形裂纹原因有
添加浆料，清洁台面后：处理方法是现场检查硅片是否破损，如有破损，
停机检查台面。
印刷破片原因有
网版、刷台表面有异物，前工序流入隐裂：处理方法是发现后迅速停机， 清洁台面，恢复印刷后检查隐裂。
网版粘片原因有
开启印刷、停机时间过长：处理方法是降低印刷速度（40~60）mm/s,印刷正常后，速度回复正常。
栅线断开现象处理方法是擦拭网版，必要时用抹布沾湿松油醇，如无效，更换网版。
印刷偏移原因有
开启印刷、停机时间过长；硅片传输到网版底下后挡住摄像头或程序异常； 更换网版后所导致印刷偏移。
处理方法：重新调整X 、Y 轴设置参数；取出网版底层硅片后正常流片观察 传输位置。
测试分选
烧结与分选测试相关的异常：
烧结后导致测试成品后电性能参数数据明显异常时情况
烧结温度过高有
现象：Rs 有所增大，Rsh 较小，转换效率较低。
改善方法：参数降低9区温度，建议不要增大和减小速度。
烧结温度不足有
现象：Rs 较大，Uoc 较小，转换效率较低。
改善方法：升高9区温度，必要时增高8区温度，建议不要增大和减小速度。 注：第8、9温区的温度修改，每次增大或减小的幅度为3~10度，提倡小幅度微
调，如有出现明显偏差可增大改动幅度。
机器故障异常现象：
1）机器铝粉过多导致测试探针测试时不稳定；
处理方法：用无尘布与异丙醇进行探针、内置小块标片与机器表面进行清洁，后再用干无尘布擦拭探针停留片刻后恢复测试生产。
2）测试数据Isc 增大、Rs 增大、Pmax 下降、效率降低等不良现象；
处理方法：检查探针，如有探针松动、毛刺、弹性不好，更换探针，更换探针后需要重新校正测试仪。
二级标片异常处理：
如发现A 标片衰减或异常时，及时停止该标片的使用，使用其它标片进行校
正恢复正常生产，后并做A 标片的测试对比实验确认是否已损坏。（必要时可作现场立刻对比）。